中国科学技术信息研究所--国家工程技术数字图书馆

[学位论文] 黄启兵湖北大学 2003年硕士导师: 解飞厚共40页

摘要 : 高层次人才的培养越来越受到人们的重视,博士生教育更是引起人们的广泛关注,然而对中国博士点生长机制的研究并不多见.该文试图围绕博士生的质量这个中心,以生与长为论述的两个基本点,从历史考察、理论探讨、比较研究这三个角度对中国博士点生长问题进... 展开

关键词 : 博士点博士单位生长机制

2. 基质对竹柏播种出苗及其生长的影响研究

[学位论文] 冯力彪福建农林大学 2015年硕士导师: 邹双全;吴擢溪共94页

摘要 : 本文以武夷山金竹柏有限公司的育苗基地为试验地，选择A、B、C3种育苗基质，研究不同基质对竹播种出苗率与不同基质及施肥对幼苗生长的影响。A基质为该基地苗圃的田土，B基质为杉木皮、半碳化谷壳、泥碳土、缓释肥和土壤消毒剂组成的轻基质，C基质为田... 展开本文以武夷山金竹柏有限公司的育苗基地为试验地，选择A、B、C3种育苗基质，研究不同基质对竹播种出苗率与不同基质及施肥对幼苗生长的影响。A基质为该基地苗圃的田土，B基质为杉木皮、半碳化谷壳、泥碳土、缓释肥和土壤消毒剂组成的轻基质，C基质为田土与轻基质1:1混合组成的基质；A、B两种基质为该公司最常用育苗基质，研究发现不同基质对竹柏种子的播种出苗率及幼苗生长影响显著。以70-80天的幼苗为对象，研究不同基质上施用N、P、K复合处理对幼苗生长及主要生理生化指标的影响，研究发现N、P、K复合处理对竹柏幼苗生长及生理生化指标的影响作用极显著，单因子的影响差异不明显。研究结果为竹柏播种育苗基质的选择及幼苗管理提供了理论和技术支撑。主要结果如下：（1）本试验竹柏于3月中旬播种，3月下旬即开始出苗，5-6月份为出苗高峰期;A、B、C三种育苗基质的播种出苗率差异达到显著水平，出苗率最高的为C基质，达81.65%；其次为B，出苗率80.33%；A基质最低,为74.28%。（2）3种基质对幼苗的生长影响达到显著水平，B基质质中的竹柏幼苗苗高生长量达到9.21cm，明显好于A基质、C基质中的竹柏幼苗高生长，说明B基质更适于竹柏幼苗的苗高生长；A基质中的竹柏幼苗平均地径最大，达到3.762mm，说明田园土有利于幼苗地径生长。（3）不同月份竹柏幼苗苗高月生长量差异较大，9-10月为生长高峰期，7-8月份略低，11月份开始生长量明显下降，主要原因是7-8月份为当地高温，11月份以后开始进入冬季，温度较低。地径生长高峰期与苗高生长高峰期一致，但冬季生长下降幅度比高生长低。说明竹柏幼苗生长受温度影响作用明显，高温或低温均不利于幼苗的生长。（4） B基质对幼苗叶绿素含量、POD活性、可溶性蛋白含量、可溶性糖含量的影响最大，对应指标的最大值分别出现在8、9、10、11月份，分别为1.78mg·g-1、2.23u·mg-1、46.31 mg·g-1、30.59 mg·g-1；SOD活性的最大值出现在9月份C基质的竹柏幼苗中，为1.14 u·mg-1，说明轻基质有利于提高幼苗叶绿素含量、POD活性、可溶性蛋白含量、可溶性糖含量，比A基质更有利竹柏幼苗的生长。（5）基质、N、P、K混合处理的竹柏幼苗比对照未施肥的竹柏幼苗生长良好，在同基质上，N、P、K单因子作用差异不明显，N、P、K因子复合影响作用明显，在一定范围内，施肥水平的增加有助于竹柏幼苗更好的生长，各项生理生化指标均有所提高。除了地径与SOD活性外，主要生长指标及生理指标的最大值均出现在B基质的竹柏幼苗中；B基质N3P1K3配方处理的平均苗高最高，达到9.38cm，说明B基质N3P1K3配方有利于幼苗生长。收起

关键词 : 竹柏播种出苗基质差异生长机制

3. 立方氮化硼薄膜沉积的研究

[学位论文] 王波吉林大学 1997年博士导师: 程开甲;赵永年共87页

摘要 : 该论文工作主要是用射频反应磁控溅射方法研究立方氮化硼薄膜的沉积和生长机制以及应力问题.立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构,其硬度仅次于金刚石.它的摩擦系数很小,而且化学稳定性很好,适合物作刀具的特别是加工铁基合金的刀具的涂层,这是因为它不象金... 展开

关键词 : 薄膜生长机制沉积立方氮化硼

4. 储能锂离子电池锂枝晶的生长机制及安全性研究

[学位论文] 李风雷北京工业大学 2019年硕士导师: 刘晶冰共76页

摘要 : 近几年随着新能源市场的蓬勃发展，大规模储能和分布式储能电站越来越多，储能电站主要由磷酸铁锂电池和三元电池组成。在电池储能过程中，一旦发生安全事故将会造成严重损失，电池内部产生的锂枝晶是造成电池安全事故的主要因素。由动力转为储能的大... 展开近几年随着新能源市场的蓬勃发展，大规模储能和分布式储能电站越来越多，储能电站主要由磷酸铁锂电池和三元电池组成。在电池储能过程中，一旦发生安全事故将会造成严重损失，电池内部产生的锂枝晶是造成电池安全事故的主要因素。由动力转为储能的大规模退役电池，在各种工况下使用时，势必会有锂枝晶生长。锂枝晶的存在不仅会造成电池容量下降还会导致严重的安全性问题。对锂枝晶生长因素的研究是抑制和解决锂枝晶的前提。因此，探究锂枝晶的生长机制具有重要理论价值和现实意义。通过常温和低温条件下长期充放电循环、容量标定、电化学阻抗谱测试、XRD测试、扫描电镜测试以及热重分析、过充实验、热失控等热安全性实验，研究了退役磷酸铁锂电池在常温以及低温条件下的适用工况，测试了不同工况下的电池容量，表征了锂枝晶的生长状况以及锂枝晶对电池安全性影响，得出以下主要结论: 1.初始容量为12Ah的样品电池在常温(25℃)、1C倍率下充放电循环1500次后衰减约20％;低温(-10℃)、O.1C倍率下充放电循环150次后，保持率为86％。样品电池经过低温循环后，容量减少，阻抗增加，再次经过常温充放电循环，容量和阻抗均有不同程度的恢复。 2.锂枝晶生长只发生在低温循环后的负极石墨表面，充放电倍率为O.3C时，在不同温度条件下锂枝晶生长状况也有较大差异，-10℃条件循环300次，随着充放电倍率增加，锂枝晶生长长度变大，直径减小，覆盖率减小。 3.通过搁置实验、热重热分析、过充实验、热失控实验等一系列热安全分析，得出含有锂枝晶与没有含锂枝晶的样品电池在热安全方面的差异，在搁置条件下含有锂枝晶的样品电池更容易发生鼓包和胀气，含有锂枝晶的样品电池更容易发生热失控。收起

关键词 : 储能电池锂枝晶生长机制

5. 铝通过有机酸途径缓解氟对茶树的影响

[学位论文] 李东芹南京农业大学 2017年硕士导师: 王玉花共59页

摘要 : 茶树[Camellia sinensis(L.)O.Kuntze]是一种重要的多年生，常绿，木本植物，在全世界广泛种植，其叶子大量被加工制作成非酒精饮料，被称为“茶”。然而茶树是一种高聚氟植物，已有大量研究发现因饮茶而导致氟中毒现象。因此研究茶树耐氟聚氟机制对于... 展开茶树[Camellia sinensis(L.)O.Kuntze]是一种重要的多年生，常绿，木本植物，在全世界广泛种植，其叶子大量被加工制作成非酒精饮料，被称为“茶”。然而茶树是一种高聚氟植物，已有大量研究发现因饮茶而导致氟中毒现象。因此研究茶树耐氟聚氟机制对于茶树新品种的培育提供重要的理论支持，从而能够更好地服务于我国茶叶生产的发展。本论文以茶树品种‘龙井长叶’为试验材料，通过检测不同浓度氟处理下(O、4、8、16)mg/L茶树生理生化指标的变化来研究氟对茶树生长的影响;测定了不同浓度的氟对茶树根系有机酸的合成和分泌的影响;此外还探完了茶树受到氟胁迫时，铝通过有机酸途径缓解氟对茶树的胁迫。具体研究内容及结论如下: 1、随着氟处理浓度的升高，茶树根系长度、根系活力和叶片内可溶性糖、POD活性、SOD活性和CAT活性逐渐降低而丙二醛的含量逐渐升高，但当氟处理浓度为4mg/L时与CK(0mg/L)相比较无显著性差异。然而随着氟处理浓度的增加，茶树叶片内叶绿素含量则显著降低。低浓度的氟对茶树生长抑制作用较小，而当氟处理浓度过高时对茶树生长生理具有显著抑制作用。 2、随着氟处理浓度的升高，茶树根系分泌草酸、乙醇酸、柠檬酸和苹果酸的量呈现先增加后降低的趋势，同时茶树根系体内草酸、乙醇酸、柠檬酸和苹果酸含量有相同的变化趋势。此外茶树根系内草酸、乙醇酸和柠檬酸的含量与乙醇酸氧化酶GO、苹果脱氢酶MDH和柠檬酸合成酶CS的活性及其相关基因表达量的变化趋势相似。上述结果表明，氟可能通过刺激茶树根系内GO基因、MDH基因和CS基因等的表达，进而调节茶树根系内GO、MDH和CS等酶的活性，从而影响茶树根系内草酸、苹果酸和柠檬酸等有机酸的合成和分泌。特别是在低浓度(4mg/L)氟处理下，上述基因能够显著表达进而促进了茶树有机酸的合成和分泌从而缓解了氟对茶树的抑制。 3、茶树在氟胁迫下，随着水培液中铝浓度的升高，茶树体内丙二醛含量逐渐降低，且具有显著性差异。然而茶树在氟胁迫下，随着铝浓度的增加SOD活性和POD活性逐渐升高，CAT活性先降低后升高。此外茶树在氟胁迫下，随着铝浓度的增加根系合成和分泌的草酸、苹果酸、乙醇酸和柠檬酸的含量都显著上升。上述结果表明铝可能通过刺激有机酸的相关合成和分泌来缓解氟对茶树的胁迫作用。收起

关键词 : 茶树氟胁迫生长机制铝浓度

6. 水稻栽后根系发生和生长机制研究

[学位论文] 任万军四川农业大学 2005年博士导师: 杨文钰共108页

摘要 : 本文以发根力有显著差异的杂交稻品种(组合)冈优22、Ⅱ优162和K优047等为材料，在四川雅安四川农业大学实验室、盆栽场和大兴镇大田进行了水培、盆栽和大田试验，研究了水稻秧苗发根力的影响因素，秧苗移栽后物质能量代谢、碳氮代谢、形态生理特征与根... 展开本文以发根力有显著差异的杂交稻品种(组合)冈优22、Ⅱ优162和K优047等为材料，在四川雅安四川农业大学实验室、盆栽场和大兴镇大田进行了水培、盆栽和大田试验，研究了水稻秧苗发根力的影响因素，秧苗移栽后物质能量代谢、碳氮代谢、形态生理特征与根系发生和生长的关系，明确了秧苗移栽后发根的生理生态机制，并研究了育栽方式、秧龄、栽管方式和源库调节等对水稻栽后根系生长的调控技术。主要结果如下：　　1.水稻秧苗发根力受到外界环境条件和自身营养生理特性的影响。秧苗移栽发根的下限温度是15℃，上限温度是40℃，从发根性状与温度所拟合的抛物线模型看，最适温度为30-31℃。　　2.栽后初期茎鞘是秧苗主要的源，新根、分蘖、新叶是主要的库。栽后4d标记的茎鞘3H同化物在标记10d后，有7.6％-9.8％用于新根发生，6.7％-15.6％用于主茎新叶生长，用于分蘖茎叶生长的占到了6.9％-9.9％，标记后30d时，约12％的3H同化物分配至新根，10％-14％分配至分蘖茎叶，标记后10-30d参与再分配的同化物主要来自于主茎的茎鞘，输入器官是分蘖和新根。 3.栽后40d内，地上部及根系氮积累量呈指数模型增加。茎鞘、发根节和根系氮含量与根重的相关系数呈极显著正相关，叶片氮含量与根重呈极显著负相关。各器官氮积累量与根重具有十分良好的一致性，均呈极显著的正相关。 4.免耕高留茬抛秧下，无盘旱育抛栽处理栽后根数、根重和根长均一致地高于塑盘湿润育秧抛栽秧苗，同时其根系活力、ATP酶活性均较高。随秧龄减小，秧苗栽后单株根长、根重和根数均降低，且秧龄较大的秧苗在栽后初期(栽后10d)根系活力、ATP酶活性均较高，但20d后，小秧龄则表现出了生理活性方面的优势。收起

关键词 : 水稻移栽根系生长生长机制发根力

7. 荧光量子点制备及相转移研究

[学位论文] 吕强吉林大学 2004年硕士导师: 白玉白;李铁津共78页

摘要 : 荧光量子点作为一种新型的生物标记物,具有激发谱为连续谱带,发射谱较窄,光稳定性要远高于有机染料分子等优点.应用荧光量子点进行生物标记,面临着一些必须解决的问题,首先,要研究并完善合成工艺,使反应可控,扩大反应规模:其次,用宽带半导体包覆,消除... 展开

关键词 : 量子点纳米晶相转移生长机制

8. 含Si纳米结构可控生长及生长机制研究

[学位论文] 秦艳北京工业大学 2008年硕士导师: 韩晓东共73页

摘要 : 本文使用热蒸发的方法合成Si和SiO2等纳米材料,研究了Si纳米线不同生长方向的可控生长及生长条件对这些纳米材料结构形态的影响,并对纳米材料的生长机制进行了探讨。本文主要分为四部分。 (1)论文研究了Si纳米线生长条件和生长方向的关系。Si纳米... 展开本文使用热蒸发的方法合成Si和SiO2等纳米材料,研究了Si纳米线不同生长方向的可控生长及生长条件对这些纳米材料结构形态的影响,并对纳米材料的生长机制进行了探讨。本文主要分为四部分。 (1)论文研究了Si纳米线生长条件和生长方向的关系。Si纳米线通过热蒸发SiO获得。实验结果表明温度能影响Si纳米线的生长方向。在低温衬底上Si纳米线生长方向主要沿<110>;而在高温衬底上产物为章鱼状Si纳米线,生长方向有<110>、<112>、<111>、<100>等。通过TEM和HRTEM表征,发现章鱼状Si纳米线与端部Si颗粒有很好的外延生长关系。 (2)讨论了在不同温度衬底上,两种不同形貌Si纳米结构的产生原因,认为温度控制着Si纳米线的择优生长方向。使用分子动力学模拟的方法,我们获得了几个典型的低指数面{100},{110}和{111}在不同温度下的表面能,并计算了不同生长方向Si纳米线的总表面能。说明了Si纳米线生长方向的改变是各个低指数面相对表面能随温度的变化引起的。 (3)使用直接加热SiO粉末的方法,得到了大量非晶SiO2纳米线,光致发光(PL)谱测试结果显示纳米线在波长550nm处存在一个较强的PL峰。本文进一步指出了实验条件对纳米线生长有强烈的影响。SiO粉末颗粒度越小,SiO2纳米线的生长越容易,产量越高；较低的温度有利于非晶SiO2纳米线的生长,高温将导致晶体Si的形成；随反应时间延长,纳米线的长度增大,可以得到大量毫米数量级的超长SiO2纳米线,而且纳米线的直径变粗。另外,通过直接加热镀有碳膜的Si片,合成了包括纳米线,纳米弹簧和纳米辫子等不同形貌的非晶SiO2-维纳米结构。 (4)不同形态的Si/Ge及其氧化物复合纳米材料的控制合成。使用热蒸发的方法,直接加热Si和GeO2的混合粉末,在Si衬底的不同温度区域上合成了章鱼状、羽毛球状、扫把状、蘑菇状、花瓣状和刺状等不同形貌的Si/Ge及其氧化物的复合纳米结构。利用透射电镜的明场像、高分辨像以及扫描透射模式下的能谱的面扫对各种纳米结构进行了详细的成分分析并讨论了不同纳米结构的形成过程。收起

关键词 : Si纳米结构可控生长生长机制

9. 中国职业经理人阶层发育障碍及生长机制研究

[学位论文] 李湘蓉西南财经大学 2002年硕士导师: 周殿昆共50页

摘要 : 本文共分为四个部分:第一部分职业经理人对现代企业的意义。这部分主要通过回顾“经理革命”在西方兴起的历史背景，来探讨职业经理人对现代企业的意义，以及职业经理人的定位。第二部分从宏观和长远的角度，分析了我国自改革开放以来萌发了催生职业... 展开

关键词 : 职业经理人发育障碍生长机制

10. ZnO纳米结构的制备及其表征

[学位论文] 张月甫山东师范大学 2009年硕士导师: 李玉国共44页

摘要 : ZnO作为一种应用广泛的直接宽带隙(3.36eV，300K)半导体，其优异的光电性能伎其成为了近十年来各国研究的热点。室温下其激子结合能为60meV，具有六方纤锌矿结构，晶格常数a=0.3249nm，c=0.5206nm。传统上ZnO是一种具有很大压电系数的压电材料，但自上... 展开 ZnO作为一种应用广泛的直接宽带隙(3.36eV，300K)半导体，其优异的光电性能伎其成为了近十年来各国研究的热点。室温下其激子结合能为60meV，具有六方纤锌矿结构，晶格常数a=0.3249nm，c=0.5206nm。传统上ZnO是一种具有很大压电系数的压电材料，但自上世纪九十年代末以来，ZnO作为光电材料的研究迅速兴起，同时ZnO纳米材料的研究也是蓬勃发展。利用ZnO制造出了表面声学波器件(SAW)。因为其基于氧空位的特殊导电机制，ZnO还可以用于氧气传感器。像氧化铟和氧化锡一样，ZnO在可见光区域是透明的，而且适当掺杂如掺铝后可以导电，这种特性被广泛研究用于平板显示器和太阳能电池的透明导电电极。其结构和晶格尺寸和另一种重要的第三代化合物半导体GaN非常接近，因此二者可以互为缓冲层或衬底，这更拓展了ZnO的应用范围。与其它宽禁带半导体材料相比，ZnO具有众多优点，ZnO研究的突破，极有希望解决半导体照明、紫外半导体激光器等多种技术的瓶颈。本文采用射频磁控溅射技术和热氧化法在未抛光的Si衬底上制备了ZnO、Au薄膜，在此基础上利用热蒸发Zn源直接氧化法在石英、Si/Au衬底上制备了多种形貌的ZnO纳米结构，对其结构、形貌、组分和发光特性进行了深入的分析和研究，并对其发光机制和生长机制进行了初步探索。研究了退火时间、退火温度对其形貌及其结晶度的影响。研究的主要结果如下： 1.利用磁控溅射技术与热退火技术在Si(111)衬底上制备了ZnO、Au薄膜。实验过程中我们研究了退火温度、退火时间对ZnO、Au薄膜形貌的影响，制备了结晶质量不太好的ZnO多晶薄膜和Au薄膜。此ZnO、Au薄膜与已经制备好的Au纳米点阵对后期的ZnO纳米结构生长起到了比较重要的作用。 2.采用直接热蒸发Zn源的方法在各种衬底上生长了多种ZnO纳米结构。我们在未抛光Si(111)衬底、SiO2衬底、Si/Au衬底、Au纳米点阵上进行了热蒸发Zn源生长ZnO纳米结构的实验，分别制备出了棒状、线状、花状、荷叶状、四/五足状和蒲公英状等多种形貌的ZnO纳米结构。 3.ZnO纳米结构光学特性的研究。在室温下，用波长为325nm的光激发样品表面，出现了386nm和505nm两处发光峰。对于中心位于386nm发光峰对应于六方ZnO纳米结构的近带边发射，通常此近带边发光峰归功于激子辐射复合发光。而对于中心位于505nm左右是强的宽绿色发光带，通常被认为是由于深能级或缺陷态复合发光。Vamheusden等人认为绿色发光带源于单个电离的氧空位与价带空穴间的辐射复合跃迁。所以笔者把实验中的绿色发光带归结为从导带底到氧替位缺陷Ozn能级的跃迁发光。 4.通过对ZnO纳米结构生长过程和测试结果的讨论分析，我们探讨了各种ZnO纳米结构的生长机理。研究了生长气氛、温度、时间、载气流速率以及衬底等对ZnO纳米结构生长不同的影响机理。我们研究了对ZnO纳米结构生长产生影响的各种因素。在我们的实验中ZnO纳米结构的生长主要的遵循气-固(VS)生长机制。收起

关键词 : 纳米结构光电材料生长机制