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国家工程技术图书馆
2022年11月29日
摘要 : 采用DC磁控溅射技术在硅衬底上制备钨薄膜,探究了溅射功率和气压对钨薄膜沉积速率、电阻率和相结构的影响.采用原子力显微镜、XRD、轮廓仪、四探针测电阻表征了薄膜的微观结构和电学性能.结果 表明,薄膜的沉积速率受溅射功率和气压共同影响,随功率的增... 展开 采用DC磁控溅射技术在硅衬底上制备钨薄膜,探究了溅射功率和气压对钨薄膜沉积速率、电阻率和相结构的影响.采用原子力显微镜、XRD、轮廓仪、四探针测电阻表征了薄膜的微观结构和电学性能.结果 表明,薄膜的沉积速率受溅射功率和气压共同影响,随功率的增加呈线性增加,随溅射气压的增加先达到峰值,然后下降.薄膜的电阻率和表面粗糙度的大小依赖于溅射气压,且随溅射气压的增加而增加,薄膜电阻率的增加可能是由于表面粗糙度的增加导致的.在恒定的溅射功率下,β-w的形成主要取决于溅射气压,几乎所有β-W相都在高溅射气压下形成,然而,当溅射功率足够大,在较高的气压下也会观察到部分α-W相的形成.钨薄膜中特定相结构(α-w/β-w)的形成,不仅取决于沉积气压,还与溅射功率相关,最终可能与入射到基片的原子能量相关. 收起
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