中国科学技术信息研究所--国家工程技术数字图书馆

1. KDP孪晶生长

[学位论文] 余岢上海大学 2007年硕士导师: 王燕共62页

摘要 : 有研究表明在一定入射角范围内，孪晶界面对光波的折、反射有不同于常规光学材料的特性——等效负折射和全透射。我们可以利用孪晶界面的等效负折射现象，精心设计孪晶结构，使孪晶界面实现全角度内的等效负折射现象，并尽可能地补偿晶体的色散和双折... 展开

关键词 : KDP孪晶孪晶生长溶液降温法光学材料磷酸二氢钾水溶液降温法

2. 助溶剂条件下卤化亚铜晶体的溶液降温法生长及性能研究

[学位论文] 吕洋洋中国科学院大学 2014年硕士导师: 庄欣欣共93页

摘要 : 卤化亚铜(CuX，X=Cl，Br，I)是一类Ⅰ-Ⅶ宽禁带半导体，与Ⅱ-Ⅵ和Ⅲ-Ⅴ化合物相比，具有许多优越的性质，如较大的禁带宽度、异常的抗磁性行为、负自旋轨道分裂、强烈的温敏性、电敏性和光敏性等，在固体电池、催化剂、气体传感器、激光器、闪烁探测器... 展开卤化亚铜(CuX，X=Cl，Br，I)是一类Ⅰ-Ⅶ宽禁带半导体，与Ⅱ-Ⅵ和Ⅲ-Ⅴ化合物相比，具有许多优越的性质，如较大的禁带宽度、异常的抗磁性行为、负自旋轨道分裂、强烈的温敏性、电敏性和光敏性等，在固体电池、催化剂、气体传感器、激光器、闪烁探测器等领域有重要的应用前景。限制其应用开发的重要因素之一是如何实现大单晶的生长，目前已报道的多为毫米级的小晶体，而尺寸大一些的晶体形态不完整，晶体生长工艺条件还有待于进一步研究和探索。溶液降温法适用于水溶性晶体材料的生长，具有溶剂流动性好、溶质的扩散系数大等优点，因而容易生长出完整性和光学均匀性良好的大尺寸晶体。由于CuX材料均不溶于水，我们在传统降温法研究基础上，选择助溶剂增加CuX的溶解度，进行了晶体生长。本论文的研究内容包括四个方面: (1)基于络合原理和溶剂效应，以含X-、NH4+水溶液为主要研究对象，分别针对CuCl、CuBr、CuI进行了溶解结晶和溶液稳定性实验，分别选定HCl、HBr、NH4X(X=Cl，Br，I)作为生长CuCl、CuBr、CuI晶体的助溶剂，并测定了相应的溶解度曲线。 (2)采用溶液降温法，分别以HCl、HBr为助溶剂，在40-50℃温度区间内生长出尺寸为6×6×6 mm3规则四面体形的CuCl、CuBr单晶。借助于X射线粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG/DTA)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱(UVDRS)等测试技术对晶体的物相、成分、元素价态分布及直接能隙进行了分析，并通过光致发光谱和荧光寿命分析研究了CuBr晶体的发光性能。 (3)采用溶液降温法生长CuI单晶，研究了以NH4X作为助溶剂条件下晶体的生长特性，分析了自发结晶形成四面体和八面体晶粒的原因。在50-60℃温度区间内生长出尺寸为厘米级的晶体，利用XRD、TG/DTA、EDX、XPS、霍尔测试、透射光谱及光致发光谱等对不同助溶剂条件下生长的CuI晶体进行了表征。NH4I是一种适合用于溶液法生长CuI晶体的助溶剂，所生长的晶体尺寸达到15×15×7 mm3，纯度高，透明性好。晶体具有P型导电性，载流子浓度为4.78×1016 cm-3，迁移率为13.02 cm2·v-1·s-1，电阻率为11.82Ω·cm，在光电子器件制备方面具有潜在的研究和应用价值。 (4)采用温差法，以NH4X作为助溶剂，分别获得了毫米级的无色透明CuI晶体。本文的主要创新点是利用助溶剂实现了CuX的水溶液生长:通过降温法生长出毫米级的CuCl和CuBr单晶及厘米级的CuI晶体，温差法生长出毫米级的CuI晶体，为水溶液法生长大尺寸高质量的非水溶性晶体提供了参考依据。收起

关键词 : 卤化亚铜晶体助溶剂光学特性电学特性溶液降温法生长

3. PET晶体生长的影响因素研究

[学位论文] 苏佳乐北京工业大学 2015年硕士导师: 常新安共66页

摘要 : 季戊四醇(C(CH2OH)4，简称PET)晶体是一种重要的X射线分光材料，具有衍射强度高，背景低和很好的热稳定性等优点，应用于X射线荧光光谱、激光等离子体X射线光谱等分析与检测领域，摄谱范围为0.55～0.8 nm，主要检测元素范围为A113～Zr40。为生长优质P... 展开季戊四醇(C(CH2OH)4，简称PET)晶体是一种重要的X射线分光材料，具有衍射强度高，背景低和很好的热稳定性等优点，应用于X射线荧光光谱、激光等离子体X射线光谱等分析与检测领域，摄谱范围为0.55～0.8 nm，主要检测元素范围为A113～Zr40。为生长优质PET晶体材料，本文较系统地研究了影响该晶体生长的主要因素。首先对PET的原料进行三次重结晶提纯，很好地去除原料中的双季戊四醇杂质，然后用提纯后的原料分别测定PET在水和36％乙酸溶液中的溶解度和亚稳区，得出在水中的溶解度温度系数随着温度的降低逐渐减小，并得出PET在乙酸溶液中具有更大的溶解度以及更宽的亚稳区宽度。采用溶液降温法生长PET晶体，研究晶体的生长温度、籽晶的形状、溶剂等因素对晶体生长的影响。在饱和点分别为70℃、65℃、60℃以及50℃的水溶液中生长出了PET晶体，得出温度越高晶体生长所需过饱和度越小，饱和点为65℃的溶液更有利于生长出较大尺寸的晶体;采用(001)面籽晶可以降低晶体生长所需的过饱和度;采用36％乙酸溶液作为溶剂可以在较小的过饱度下生长PET晶体，且生长形态也发生一定的变化。通过XRD测试对所生长的晶体进行物相分析得出所生长晶体都为PET晶体，采用红外光谱分析了PET晶体的结构组成，并表明乙酸溶液并没有对所生长的晶体的结构产生影响。并利用LC-MS分析了季戊四醇中的羟基之间并没有发生缩合反应。最后，对与晶体材料质量相关的性能参数进行了分析:测试得到所生长的PET晶体的透过曲线以及摇摆曲线，得出在饱和点为65℃的水溶液中生长的晶体透过率及单晶的结构完整性最好，并得出在饱和点都为50℃的不同溶剂生长的PET晶体，乙酸溶液中得到的晶体透过率比较高，但单晶结构完整性稍差。并对得到晶体进行了DSC、TG分析得出PET晶体都是在250℃附近熔化，具有良好的热稳定性，显微硬度的测试结果显示PET晶体硬度都在60Kg/mm2左右。收起

关键词 : 季戊四醇晶体生长提纯工艺溶液降温法性能参数

4. 新型无铅钙钛矿光电晶体的制备与性能研究

[学位论文] 黄一强南京信息工程大学 2020年硕士导师: 苏静共71页

摘要 : 作为光伏及光电器件领域的新型材料，铅基有机-无机杂化钙钛矿材料因具有卓越的光电性能成为钙钛矿领域的研究热点。但是由于铅基材料和器件分解产生的Pb对环境造成影响较大导致其应用受限，因此探索新型无铅钙钛矿材料并对其晶体基础性能进行表征具有... 展开作为光伏及光电器件领域的新型材料，铅基有机-无机杂化钙钛矿材料因具有卓越的光电性能成为钙钛矿领域的研究热点。但是由于铅基材料和器件分解产生的Pb对环境造成影响较大导致其应用受限，因此探索新型无铅钙钛矿材料并对其晶体基础性能进行表征具有重要意义。本论文工作主要为有机-无机杂化锡基钙钛矿晶体CH3NH3SnI3、CH3NH3SnBr3、CH3NH3SnCl3、CH3NH3SnBrxCl3-x和全无机双钙钛矿晶体Cs2AgBiBr6的生长和性能表征。主要研究结果为：（1）采用溶液降温法生长了CH3NH3SnX3(X=I,Br,Cl)型钙钛矿晶体。生长得到的CH3NH3SnI3和CH3NH3SnBr3为立方晶系，晶格常数分别为a=5.9523?和5.8930?，CH3NH3SnCl3为单斜晶系，晶格常数为a=5.6873?，b=8.2268?，c=7.9312?，β=93.12°。HRTEM测试表明CH3NH3SnI3单晶内部结晶质量良好。CH3NH3SnX3(X=I,Br,Cl)晶体的吸收边分别为：933nm(I)、632nm(Br)和351nm(Cl)，对应的带隙值分别为：1.33eV(I)、1.98eV(Br)和3.57eV(Cl)。热重分析和EDS分析表明CH3NH3SnI3和CH3NH3SnBr3晶体在氧环境中的稳定性较差。第一性原理计算得到CH3NH3SnX3为直接带隙结构，价带顶主要为卤素元素最外层p电子轨道构成，导带底主要为Sn的5p电子轨道构成。（2）采用溶液降温法，在90℃温度下，按CH3NH3Cl：SnBr2为1:1比例配置了CH3NH3SnBrxCl3-x母液，分析降温过程中析出晶体的物相，60℃析出的晶体为CH3NH3SnBr3晶相，45℃析出的晶体组分为CH3NH3SnBr2.67Cl0.33，属于单斜晶系，晶格常数a=13.3114?，b=7.5326?，c=4.9970?，β=126.83°，吸收边为465nm，带隙值(2.78eV)介于CH3NH3SnBr3和CH3NH3SnCl3带隙值之间，表明通过调整卤素配比能够实现对CH3NH3SnX3带隙值的调控。（3）采用溶液降温法生长了Cs2AgBiBr6晶体，属于立方晶系，晶格常数为a=11.2641?。通过HRTEM和SAED测试表明其结晶性能良好。实验获得的Cs2AgBiBr6晶体的吸收边为593nm，带隙值为2.12eV。热重分析表明了Cs2AgBiBr6晶体的热分解机理。结合第一性原理分析其为间接带隙结构晶体，计算获得带隙值为2.39eV。收起

关键词 : 光电晶体钙钛矿溶液降温法热分解机理带隙结构

5. 有机无机杂化金属卤化物(C7H9NF)8M4I16(M=Bi,Sb)和(C6H16N)2MnBr4制备及其性能研究

[学位论文] 赵晓晨天津大学 2022年硕士导师: 刘卫芳共84页

摘要 : 有机无机杂化金属卤化物是一类集合了有机材料和无机材料优势的新颖材料。它在分子尺度上同时存在着有机官能团阳离子和无机阴离子两个部分。其中，有机官能团阳离子主要确保了结构的灵活性、易机械塑形性和易合成性，而无机金属卤族元素阴离子成分的... 展开有机无机杂化金属卤化物是一类集合了有机材料和无机材料优势的新颖材料。它在分子尺度上同时存在着有机官能团阳离子和无机阴离子两个部分。其中，有机官能团阳离子主要确保了结构的灵活性、易机械塑形性和易合成性，而无机金属卤族元素阴离子成分的存在则提供了优异的电学磁学性能、机械和热稳定性以及介电转换性。通过使用适当的有机和无机组分，已经开发和研究了在分子水平上具有二维、准二维、波纹状二维、一维和零维结构的低维有机-无机杂化金属卤化物。在本文工作中，我们采用溶液降温法和溶液挥发法分别制备了有机-无机杂化金属卤化物(C7H9NF)8M4I16 (M=Bi, Sb) 和 (C6H16N)2MnBr4样品，对晶体样品及其薄膜样品的晶体结构、表面形貌、热致变色特性等进行了系统地表征和测试，并结合第一性原理计算对相关物理特性进行了深入的机理分析。首先，利用溶液挥发法制备了准零维无铅热致变色有机-无机杂化单晶(C7H9NF)8M4I16 (M=Bi, Sb)。随着温度的升高，(C7H9NF)8M4I16 (M=Bi, Sb) 晶体表现出热致变色现象。为了系统地分析热致变色现象的物理机制，我们测量了不同温度下(C7H9NF)8M4I16 (M=Bi, Sb)的紫外-可见-近红外(UV-vis-NIR)吸收光谱；通过拟合分析得到(C7H9NF)8Sb4I16和(C7H9NF)8Bi4I16在室温下的带隙分别为2.34 eV和2.1 eV；(C7H9NF)8M4I16 (M=Bi, Sb)的带隙值随着温度的升高逐渐减小。结合从头算分子动力学(AIMD)和第一性原理计算分析，我们认为在较高温度下的带隙减小和热致变色的发生可能源于(C7H9NF)8M4I16 (M=Bi, Sb) 中较强的电子活性(热激发)。这些低维有机-无机杂化金属卤化物的热致变色特性有望为智能窗户温度传感器、视觉温度计和日光控制眼镜等提供替代材料。随后，采用溶液挥发法制备出高纯度的(C6H16N)2MnBr4 样品， (C6H16N)2MnBr4是一种具有零维结构的有机-无机杂化金属卤化物，其空间群是P21/n。在365 nm 波长的光照下，(C6H16N)2MnBr4能发出高强度的明亮绿光，其荧光寿命为0.269 ms, 表明(C6H16N)2MnBr4具有杰出的光致发光性能。通过对紫外可见光谱以及光致发光光谱的分析，我们认为(C6H16N)2MnBr4的光致发光是由金属卤化物中 Mn 离子的 d-d 跃迁而导致的。这种光致发光性能使得(C6H16N)2MnBr4样品在该领域具有潜在的实用价值和开发前景。收起

关键词 : 有机无机杂化金属卤化物溶液降温法溶液挥发法晶体结构表面形貌热致变色特性

6. 二维杂化镉基钙钛矿单晶的光学性能调控和机理研究

[学位论文] 陈灿栩广西大学 2023年硕士导师: 曾若生共91页

摘要 : 镉(Cd)基卤化钙钛矿由于丰富的电子维度和卓越的稳定性而受到广泛的关注。但不幸的是大部分的Cd基卤化钙钛矿由于间接带隙结构而无法展现出理想的光学性能。通过引入发光中心，如：Sb3+、Mn2+、Pb2+等，将能够有效地调节带隙结构，实现光学性能的巨大... 展开镉(Cd)基卤化钙钛矿由于丰富的电子维度和卓越的稳定性而受到广泛的关注。但不幸的是大部分的Cd基卤化钙钛矿由于间接带隙结构而无法展现出理想的光学性能。通过引入发光中心，如：Sb3+、Mn2+、Pb2+等，将能够有效地调节带隙结构，实现光学性能的巨大提升。众所周知，二维(2D) 材料由于高的载流子迁移率和长的载流子扩散长度成为光电器件的首选材料。而有机阳离子的引入将会对钙钛矿的无机金属八面体层进行分隔，形成低维度结构。有趣的是大部分的Cd基卤化钙钛矿在有机阳离子的加持下形成的是二维结构，因此掺杂的杂化Cd基卤化钙钛矿将有可能成为光电领域的明星材料。本论文通过恒温饱和溶液种子结晶法制备高质量2D杂化Mn2+掺杂BDACdBr4 (BDA=C4H12N2, 1,4丁二胺) 体单晶，另外通过简单的饱和溶液降温法制备了Pb2+、Sb3+共掺的BDACdBr4单晶。Mn2+、Pb2+、Sb3+有效调控BDACdBr4的光学性能，系统的研究结果如下： (1) 未掺杂的2D 杂化BDACdBr4材料的光学性能非常差。在Mn2+掺杂后，单晶在298 nm紫外激发下表现出发射中心在608 nm的宽带发射，光致发光量子产率 (PLQY) 接近100%(~96%)。光谱学表征显示，PLQY的巨大提升来源于 Mn2+ 4T1(G)→6A1(S) 跃迁发射的敏化，这种敏化离不开宿主激发态到 Mn2+的 d 态之间的能量转移。波长依赖的光谱学研究发现Cd2+ 3Eg→1A1g跃迁发射并没有淬灭，并且与Mn2+的d-d跃迁发射形成有趣的竞争发射机制，二者主导着整体的发射带的演变。此外，温度依赖性的PL光谱表征表明，BDACdBr4钙钛矿宿主到Mn2+的高效能量转移需要热激活来克服势垒。这项工作将为离子掺杂的2D 杂化 Cd 基卤化层状钙钛矿的光物理性质研究提供了新的见解，特别是 Mn离子掺杂对竞争能量转移产生的影响。 (2) Pb2+、Sb3+共掺的2D BDACdBr4在350 nm紫外激发下表现出随共掺比例不同而变化的可调发光。材料发光颜色从冷白、白、暖白到橘红进行切换，归因于内在Pb2+的自陷激子 (STE) 发射和Sb3+的STE发射叠加的不同。PL衰减曲线的动力学过程显示，随着Sb3+掺杂比例提高，Pb2+自陷态到Sb3+自陷态的能量转移过程逐渐强化。另外，Sb3+的自陷态还能有效吸收380 nm的自由激子 (FE) 发射，进行自身的 3P1→1S0三重态发射。利用Pb2+、Sb3+共掺BDACdBr4材料在不同激发下的发光特性，我们进行加密防伪图案设计，显示了杂化Cd基钙钛矿在防伪领域的应用前景。我们的工作将为杂化Cd基卤化层状钙钛矿的性能调控提供新的方案，并进一步拓展现阶段的探索，尤其是离子共掺方面的研究。收起

关键词 : 镉基钙钛矿单晶恒温饱和溶液种子结晶法饱和溶液降温法锰离子铅离子锑离子光学性能

7. 反式二苯乙烯（TSB）晶体生长动力学与生长技术研究

[学位论文] 汤舟娅北京工业大学 2019年硕士导师: 常新安共64页

摘要 : 反式二苯乙烯(分子式C14H12，简称TSB)晶体是一种有机闪烁材料，具有光输出强、衰减快以及分辨率高等优点，可用于核技术中γ射线辐射下的快中子检测。长期以来，人们多采用熔体体系的Bridgman法生长TSB晶体，虽然所得晶体尺寸大，但晶体质量总不理想... 展开反式二苯乙烯(分子式C14H12，简称TSB)晶体是一种有机闪烁材料，具有光输出强、衰减快以及分辨率高等优点，可用于核技术中γ射线辐射下的快中子检测。长期以来，人们多采用熔体体系的Bridgman法生长TSB晶体，虽然所得晶体尺寸大，但晶体质量总不理想，难以满足核技术的特殊需求，因此，以溶液法生长优质TSB晶体成为研究热点。本文针对前期研究中出现的问题，从TSB溶液的回流热处理入手，对该体系的溶液稳定性、晶体生长动力学进行研究，力求进一步完善TSB晶体的溶液法生长技术。首先选定环己酮为溶剂，对相应TSB溶液回流热处理，考察不同时间回流热处理对溶液饱和点变化趋势与稳定性的影响。结果表明:回流能加速溶剂合的过程，提高溶液稳定性，其中回流8h的溶液饱和点的波动较小，溶液也较稳定。用高效液相色谱和气质联用仪对不同回流时间的溶液进行了定性以及定量的分析。结果表明，在TSB的环己酮溶液中，回流后未发现溶质分子和溶剂分子之间发生化学反应，也未发现TSB分子自身向顺式二苯乙烯的转变，但溶质分子有少量被氧化分解，形成苯甲醛，而少量环己酮分子间却发生缩合反应形成2-环己基-环己酮，当回流时间为0h、4h、8h、12h时，苯甲醛在溶液中所占比总数分别为0、0.269％、0.618％、1.203％呈增加趋势，同时，2-环己基-环己酮在溶液中所占比总数也有升高，分别为0、0.713％、1.508％、1.528％。回流后溶液的晶体生长实验结果表明，回流8h的溶液可以长出外形完整且无明显宏观缺陷的TSB晶体;回流12h的溶液中生长TSB晶体虽有少量母液包裹现象，且溶液杂质增多，但基本可以长出晶体;回流4h的溶液则较难长出优质晶体，很容易出现母液包裹以及寄生生长。从晶体生长结果看，适当的溶液回流有利于晶体的稳定生长，回流时间为8h适宜。通过AFM对TSB晶面的测试结果表明，(102)晶面存在明显的大台阶，结合先前相关研究报道综合分析，判定该晶面主要是以Kossel生长机制模型经二维成核一层一层周期生长;通过对比不同生长周期以及相同生长周期获得TSB晶体各方向的平均生长速率，证实了TsB晶体前期生长速率较大，并且随着生长周期增加，晶体沿(100)面以及b轴的生长速率在减小，所以在晶体生长前期可适当加大降温速率。对不同回流时间获得的TSB晶体进行了完整}生的分析。观测了生长过程中出现的包裹体和寄生生长等缺陷，并分析了其成因;又采用腐蚀法对晶体的微观位错缺陷进行了分卡斥发现腐蚀剂与腐蚀时间对TSB晶面的腐蚀形貌都有一定的影响，并且(100)晶面存在三角形状的腐蚀坑，(102)晶面存在不规则形状的蚀坑，说明这些晶面的生长也包含位错生长机制。随后对不同回流时间获得晶体的(100)晶面进行摇摆曲线测试，表明回流4h、8h和12h的溶液生长的TSB晶体的(100)面的摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为0.274°、0.212°和0.197°，证实了回流有利于溶液尽快达到平衡状态，长出的晶体的完整性更好。对所生长TSB晶体进行紫外可见透过光谱测试，结果表明，回流后获得TSB晶体的(010)面、(100)面、(102)面的透过率分别为78％、82％、85％，与前期实验相比晶体的透过率有一定的提升;采用137Cs激发测试该晶体的相对光输出，前期实验获得TSB晶体的光输出为EJ-204的113％，回流溶液获得TSB晶体的光输出约为EJ-204的142％，有较明显的加强。最后，在生长技术上较传统溶液降温法生长晶体做出了如下改善:选择带磨口的生长瓶，起到良好的密封效果和保证溶液稳定性;对原料进行至少两次重结晶;对溶液进行适当的回流，加速溶剂合反应，提高溶液稳定性，回流时间为8h适宜;挑选外形完整并且无缺陷的小晶体作为籽晶，有助于籽晶快速的恢复其外形;前一周出现快速生长的可能性较大，可以根据实际情况加大降温速率。收起

关键词 : 快中子检测反式二苯乙烯晶体溶液降温法回流热处理生长动力学

8. 铜系金属卤化物闪烁体的合成及X射线探测应用

[学位论文] 宾相石广西大学 2023年硕士导师: 林涛共79页

摘要 : 闪烁体将X射线或γ射线转化成可见光被探测器检测，是高能射线探测器的核心部分。传统闪烁体工艺复杂，成本较高，在大规模应用上存在局限性。近年来，低维铜系金属卤化物由于具有无毒环保、易于合成、高发光效率和低成本等优异特性，在X射线性能上能... 展开闪烁体将X射线或γ射线转化成可见光被探测器检测，是高能射线探测器的核心部分。传统闪烁体工艺复杂，成本较高，在大规模应用上存在局限性。近年来，低维铜系金属卤化物由于具有无毒环保、易于合成、高发光效率和低成本等优异特性，在X射线性能上能够媲美传统闪烁体，被认为是一种极具应用潜力的闪烁体材料。在本工作中，我们探索利用低成本的低温液相析出结晶方法合成零维铜系金属卤化物闪烁体，对一系列闪烁体的晶体结构、光物理性能和X射线闪烁性能进行了系统研究，并利用闪烁体和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）制作薄膜测试了X射线成像，探讨了铜系金属卤化物闪烁体在X射线成像领域中的应用潜力。本论文的研究结果主要如下：（1）我们通过溶液降温法（STL）以高产率（100 mg/min量级）快速合成了无毒环保的零维有机无机杂化铜系金属卤化物 TEA2Cu2Br4闪烁体（TEA=[(CH3CH2)4N]+），突破了闪烁体制备困难、成本较高的局限性。结构与光物理性能表征表明 TEA2Cu2Br4具有属于单斜晶系的零维结构，由此带来了具有大斯托克斯位移和 55%的高荧光量子产率自陷激子发射性能。在X射线激发下，TEA2Cu2Br4闪烁体具有7623 photons/MeV的光产额，这表明其具有用于X射线成像的潜力。进一步制备了基于TEA2Cu2Br4-PMMA混合物的闪烁体薄膜屏，并用于X射线成像，成功实现了清晰的X射线成像，其空间分辨率达到了3.15 LP/mm。这些结果为有机无机杂化铜系金属卤化物闪烁体的高效低成本液相合成和 X 射线成像应用提供了指导。（2）通过甲酸辅助溶液降温法（STL）和油酸辅助逆温结晶法（ITC）合成了高质量大尺寸零维全无机铜系金属卤化物Cs3Cu2X5（X=Cl，I）单晶闪烁体。在甲酸和油酸的辅助下，Cs3Cu2X5的结晶速率、单晶的尺寸、晶体质量、光致荧光及X射线荧光性能均得到提高。归因于大尺寸单晶界面缺陷的减少，单晶体显现出高效自陷激子宽带发射和高荧光量子产率（77%）和零自吸收特性，相较于 Cs3Cu2X5量子点-有机聚合物薄膜，其对光子的散射显著降低。以上光物理特性确保了其理想的X射线发光能力和接近传统商用闪烁体的高光产额， 35385 photons/MeV。由此带来了Cs3Cu2X5-PMMA 闪烁体薄膜高清晰的成像性能，空间分辨率接近 6.30 LP/mm，为全无机铜系金属卤化物单晶闪烁体的合成和X射线探测应用提供了新的思路。收起

关键词 : X射线探测器闪烁体铜系金属卤化物溶液降温法逆温结晶法

9. 新型晶体生长装置与KDP晶体快速生长

[学位论文] 王东娟青岛大学 2008年硕士导师: 滕冰共55页

摘要 : KDP(KH2PO4)晶体是应用广泛的光电功能晶体材料，采用水溶液方法生长具有优良的光电、非线性和压电性能，其特点是大尺寸的单晶生长比较容易、晶体光学质量好、激光损伤阈值高，因而在激光技术中被广泛用于制作倍频、调制开关和偏转器等光学元器件，是... 展开

关键词 : KDP晶体新型晶体生长装置光电功能晶体材料水溶液降温法

10. 硫酸镍钾铵配合物晶体的组分与结构、生长及性能关系研究

[学位论文] 曹有杰中国科学院大学 2013年硕士导师: 庄欣欣共54页

摘要 : 本文用复合反应合成了Kx(NH4)2-xNi(SO4)2·6H2O(x=0.4，1，1.6)材料。根据Ultra2 ICP光谱仪测试结果计算出各组分的含量;通过小分子单晶衍射仪确定了晶体结构; 选用称量法测定了溶解度曲线，并利用水溶液降温法在3L生长槽内分别生长出厘米级尺寸... 展开

关键词 : 硫酸镍钾盐配合物 Fe元素掺杂晶体生长紫外滤波水溶液降温法紫外吸收光谱