中国科学技术信息研究所--国家工程技术数字图书馆

[期刊] 王敬义陶甫廷何笑明尹盛《广西工学院学报》 2001年4期共5页

摘要 : 从粒子的产生、输运及表面反应出发,建立总的输运模型并得到靶的溅射速率和化合物的复盖度.模型中都是以宏观工艺参数及反应室结构参数表达的,对薄膜材料的溅射淀积技术具有重要的应用价值.

关键词 : 多元薄膜溅射速率靶中毒

2. NiCr薄膜电阻TCR的影响因素 北大核心 CSTPCD

[期刊] 李丙旺《真空》 2007年1期共3页

摘要 : 影响NiCr薄膜电阻TCR的因素很多,我们分别从溅射淀积工艺和热处理工艺来研究和探讨NiCr薄膜电阻TCR与溅射时的真空度、溅射速率、基片温度、薄膜厚度及热处理温度和时间等因素的关系,从而为提高NiCr薄膜电阻的稳定性和降低其TCR值提供有益的条件.

关键词 : TCR 真空度溅射速率基片温度

[期刊] 王朝勇马培芳李伟王凯宏李宗泽刘志清余晨生王新练王小妮吴昊《真空》 2020年5期共5页

摘要 : 利用直流磁控溅射技术(DCMS)制备锐钛矿TiO2薄膜,研究了工艺参数中的衬底温度、压强和溅射功率对TiO2薄膜的沉积速率的影响,利用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)和椭圆偏振光测试仪表征了样品的表面形貌、结构和膜厚,实验结果表明:利用DMS制... 展开

关键词 : 磁控溅射锐钛矿TiO2 溅射速率椭偏法

4. TFT阵列金属电极的制备与性能 OA CSCD

[期刊] 王大海杨柏梁杨柏梁吴渊吴渊刘传珍《液晶与显示》 2000年4期共8页

摘要 : 利用磁控溅射的方法制备了Cr、 Ta、 Al、 Mo、 MoW等金属薄膜，采用XRD、 SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响，得到了制作TFT器件中优质金属电极的工艺参数。

关键词 : 磁控溅射 TFT器件溅射速率金属薄膜

5. 磁控溅射膜厚均匀性与靶-基距关系的研究 北大核心 CSTPCD

[期刊] 徐均琪易红伟蔡长龙杭凌侠《真空》 2004年2期共4页

摘要 : 从理论上分析了平面磁控溅射靶沉积薄膜的厚度均匀性.根据磁控溅射阴极靶刻蚀的实际测量数据,建立了靶的刻蚀速率方程,以此为依据,对膜厚均匀性的有关公式进行了讨论.采用计算机计算了基片处于不同靶-基距时,膜厚均匀性的分布.研究结果表明,随着靶基距... 展开

关键词 : 厚度均匀性靶-基距磁控溅射溅射速率

[期刊] 齐芸馨《分析化学》 1990年5期共4页

关键词 : 二氧化硅标样氩离子溅射速率

7. 光谱法控制ITO膜沉积速率 北大核心 CSCD

[期刊] 黄士勇王德苗《材料研究学报》 1997年3期共3页

摘要 : 用磁控反应溅射方法制备ＩＴＯ膜时，溅射速率不断变化，并且等离子体也发出较强的具有较宽光谱的光，报导了用调整特征光谱强度来控制溅射速率的新方法，并且以控制ＩＴＯ膜的沉积过程。

关键词 : 光谱法溅射速率 ITO膜氧化铟锡薄膜

[期刊] 刘伟宋宇童帅《玻璃》 2015年2期共4页

摘要 : 分析了目前Low-E玻璃存在的问题,给出了解决办法及思路,介绍了碳化硅膜层的特性以及在镀膜领域尤其是低辐射膜层(Low-E)中的应用,提升了离线Low-E膜层的性能,进一步加快了离线Low-E玻璃民用化的推广.

关键词 : Low-E玻璃 SiNx SiC 真空磁控溅射溅射速率

9. 离子源的溅射特性及其对ZnS薄膜折射率的影响 CSTPCD

[期刊] 徐均琪刘鹤玲蔡长龙杭凌侠《西安工业学院学报》 2002年2期共4页

摘要 : 在离子束辅助镀膜工艺中,离子源工作参数无疑是影响薄膜质量的关键因素.本文对宽束冷阴极离子源溅射特性进行了研究,给出了离子源引出电压与溅射速率的关系.同时研究了离子束对ZnS薄膜折射率的影响.

关键词 : 宽束冷阴极离子源 ZnS薄膜溅射速率

10. 光谱法控制溅射速率的研究 北大核心

[期刊] 王德苗黄士勇《真空科学与技术》 1997年5期共3页

摘要 : 在磁控反应溅射方法制备薄膜的过程中，等离子体发出较强的光，提出了用光谱控制溅射速率方法，并以该方法ＩＴＯ膜中的应用为例，说明该在实际应用中的具体过程。

关键词 : 光谱法溅射速率等离子体 ITO膜真空镀膜