主办单位：
天津电子材料研究所
出版周期：
月刊
地 址：
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
邮政编码：
300192
| 序号 | 标题 | 作者 | 起始页 | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 用射频辉光放电制备高电导非掺μc—SiO：H薄膜 | 未休 | 5 | |
| 2 | 非线性光学玻璃新进展 | 张忱 | 5 | |
| 3 | 用改良内部结晶法生长蓝宝石光纤 | 毕叔和 | 6 | |
| 4 | 厚层,光滑的六边形GaN在GaAs（111）基片上的生长 | 义仡 | 7 | |
| 5 | Ⅱ—Ⅵ族衬底新动态（二） | 晓晔 | 8 | |
| 6 | PVT法生长ZnTe和Cd1—xZnxTe单晶衬底 | 晓晔 | 9 | |
| 7 | 在Si（100）基片上生长超薄3C—SiC外延层 | 仪仡 | 11 | |
| 8 | 在6H—SiC上用（GaN／AlN缓冲层生长AlN的张力应变 | 毕叔和 | 12 | |
| 9 | Φ300mmCZ—Si抛光片的氧沉淀行为 | 晓予 | 13 | |
| 10 | InP本征调制掺杂 | 苏宇观 | 15 |
