摘要: 稀土配合物由于具有优良的窄带发光性能和较长的荧光寿命,因而在光电学领域比如激光材料或者荧光标记上引起了广泛的兴趣和应用.吸附在固体表面的稀土配合物的发光性质得到了广泛的研究.MCM-48中孔材料是M41s家族中的一种,具有直径20-30 A三维结构的中... 展开 稀土配合物由于具有优良的窄带发光性能和较长的荧光寿命,因而在光电学领域比如激光材料或者荧光标记上引起了广泛的兴趣和应用.吸附在固体表面的稀土配合物的发光性质得到了广泛的研究.MCM-48中孔材料是M41s家族中的一种,具有直径20-30 A三维结构的中孔孔道,比MCM-41的一维结构孔道更有优势,比如它可以最大可能的避免客体分子的堆积现象.因此该论文中我们研究了将稀土(Eu<'3+>)二酮(DBM=dibenzoylmethane)配合物掺杂到纯硅MCM-48以及三种有机基团嫁接的有机-无机杂化MCM-48的孔道中去,得到了各种不同的杂化中孔发光材料.首先烧结后的MCM-48被装载稀土Eu(DBM)<,3>·2H<,2>O配合物之后.XRD结果说明稀土配合物被组装到了MCM-48中,其有序结构因为稀土配合物的进入而受到一定的影响,但是样品仍保持了MCM-48的立方相结构.然后采用了室温两步合成法合成MCM-48,模板剂的去除采用了溶剂萃取法.室温条件下合成的MCM-48分子筛利用后合成嫁接的方法[post-synthesis grafting(PSG)]进行表面修饰,修饰剂选用了带有功能性乙烯基的VTES,链长最短的MTES以及带有氨基的长链NTSED.最后通过溶胶-凝胶过程利用提拉法(Dip-coating method)制备了具有中孔结构的SiO<,2>-CTAB-Tb(acac)<,3>透明发光薄膜(Mesostructed luminescence thin film,略为MLTF),稀土配合物利用原位合成(In-situ)的办法掺入到透明薄膜中.对薄膜进行热处理过程表明薄膜中的稀土配合物在50℃的时候开始形成. 收起