摘要 :
使用射频单电子晶体管作为读出电路的超导探测器具有高灵敏度和高读出速度的特点,为实现太赫兹单光子探测器提出一种读出方案.基于绝缘体上的硅(Insulator on silicon,SOI)材料制备的硅基单电子晶体管具有高精度、结构可控、工艺稳定的特点,利于提高器...
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使用射频单电子晶体管作为读出电路的超导探测器具有高灵敏度和高读出速度的特点,为实现太赫兹单光子探测器提出一种读出方案.基于绝缘体上的硅(Insulator on silicon,SOI)材料制备的硅基单电子晶体管具有高精度、结构可控、工艺稳定的特点,利于提高器件成品率,实现读出电路的阵列化.电子束曝光、感应耦合等离子体刻蚀和热氧化为制备硅基单电子晶体管的关键工艺.改用电子束零宽度线曝光工艺精确控制单电子晶体管的隧穿势垒宽度,优化感应耦合等离子体刻蚀刻蚀工艺中刻蚀气氛比例实现电子束曝光图形良好的转移,降低氧化温度进一步提高氧化工艺的可控性,最终将单电子晶体管的成品率提高到90%,增强了单电子晶体管作为超导探测器射频读出电路核心器件的可行性.
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