中国科学技术信息研究所--国家工程技术数字图书馆

7. 台湾化合物半导体产业2001/2002年趋势

[会议] 石修第八届全国LED产业研讨与学术会议 2002年8届共 5 页

摘要 : 本文阐述了台湾光电产业发展现状以及LED在光电产业成长机制中的角色,对台湾LED产业生产销售、日本化合物半导体晶片供应做了统计分析,并结合化合物半导体产业两岸合作探讨台湾该产业发展趋势.

关键词 : 化合物半导体产业 LED 台湾

[会议] 薛军帅郝跃欧新秀史林玉张进成马晓华王冲第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 2010年共 2 页

摘要 : 作为新型的无应变异质结材料,InAlN/GaN非常适合于毫米波功率器件的制备。通过采用脉冲式金属有机物化学气相淀积方法,外延生长得到高输运特性的InAlN/GaN异质结。其二维电子气密度达到2.0×1013cm-2,室温电子迁移率达到1400 cm2/V.s,此结果显示了该方... 展开

关键词 : InAlN CaN HEMTs 化合物半导体

9. 原位俄歇能谱分析低能氩离子清洁砷化镓表面

[会议] 黄大定中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 1993年共 2 页

关键词 : Ⅲ-V族化合物半导体

10. AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT分子束外延材料生长研究

[会议] 陈昊第六届全国分子束外延学术会议 2001年6届共 3 页

摘要 : 本文着重探讨了单δ<,Si>平面掺杂Al<,0.30>Ga<,0.70>As/Ga<,0.8>In<,0.2>As/GaAsPHEMT材料的生长工艺及工艺优化.

关键词 : 化合物半导体材料