中国科学技术信息研究所--国家工程技术数字图书馆

排序：

1. 溅射钽环件用钽凸台生产工艺研究 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 张春恒李桂鹏同磊汪凯《稀有金属材料与工程》 2011年S2期共4页

摘要 : 溅射钽环件应用于半导体制造的金属化工艺,其作用是在溅射过程中起到聚焦和净化的作用。钽凸台是溅射钽环件的主要部件,其材料利用率以及加工效率对溅射钽环件的加工成本影响很大。采用先挤压成型后机械加工的新工艺代替国外全部采用机械加工的工艺,将... 展开

关键词 : 物理气相淀积溅射薄壁深冲晶粒直径

2. 双管气相沉积制备ZnxCd1-xS纳米棒及其光谱表征 北大核心 CSTPCD

[期刊] 刘中奎《光散射学报》 2011年1期共5页

摘要 : 通过物理气相沉积方法在镀金的硅基片上制备了ZnxCd1-xS纳米棒,并用VLS机制对生长机理进行了讨论.XRD分析表明产物是六方相的结晶体;SEM观察到纳米棒的长度为3～4微米,直径约为40纳米.PL谱显示有明显的红移现象,分析认为是由于ZnS对CdS晶格的轻微不匹... 展开

关键词 : 微结构物理气相淀积双管系统 ZnxCd1-xS

3. 物理气相淀积成膜的计算机模拟 北大核心

[期刊] 刘军顾昌鑫韩继红单莉英华中一《真空科学与技术》 1996年2期共8页

摘要 : 运用蒙特卡罗方法,模拟了不同条件下的物理气相淀积薄膜生长过程.在40×40个原子的简单立方单晶(100)面上,模拟计算了不同条件下所成简单立方单晶薄膜的生长情况,得出了覆盖率、成膜速率、稳定性与基体温度、蒸气压强的关系.模拟计算结果与理论和实验一致.

关键词 : 物理气相淀积计算机模拟蒙特卡罗方法

4. 硅基片上C60薄膜的生长特性和结构特性研究 OA 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 刘波王豪《人工晶体学报》 2000年2期共5页

摘要 : 本文采用物理气相沉积(PVD)法在不同预处理的Si(100)衬底上沉积了C60膜,并利用AFM和XRD研究了其生长特征和结构特性.结果表明,C60膜的生长特性不仅与C60分子的移动性和衬底的表面性质等多种因素有关,而且还受衬底表面先前淀积的C60膜的有序性影响;H-S... 展开

关键词 : 物理气相淀积 C60膜原子力显微镜 X射线衍射

5. PVD　CrN改进工具的寿命和性能

[期刊] 方次尹《航空精密制造技术》 1995年2期共1页

摘要 : ＰＶＤ　ＣｒＮ改进工具的寿命和性能１５年前开发出ＣＶＤ（化学气相淀积）后，ＣＶＤ和继之研制的ＰＶＤ（物理气相淀积）成为改进刀具和模具性能及寿命的两个重要的技术手段．但是合理应用这些工艺及其涂层需要设计师在多种涂层材料（ＴｉＮ、Ｔｉ... 展开

关键词 : 改进工具工具寿命化学气相淀积涂层材料物理气相淀积反应离子镀厚膜涂层等离子体金属成形切断工具