中国科学技术信息研究所--国家工程技术数字图书馆

排序：

[期刊] 韩子杰鹿心鑫朱通华王玫蒋励《核电子学与探测技术》 2014年4期共3页

摘要 : 241 Am 发生中子俘获反应，主要生成激发态的242 Amg （83．7％），242 Amg通过β衰变生成242 Cm，242 Cmα粒子的最低能量比241 Amα粒子的最高能量高约500 keV。用SRIM程序模拟了两种能量的α粒子在铝箔中的穿透情况，26μm的Al箔可以将241 Am的α粒... 展开

关键词 : 俘获反应率 &alpha 衰变射程 SRIM程序

2. Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟 OA 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 周原韦冬王茺杨宇《红外技术》 2011年7期共5页

摘要 : 在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si深度分布几率和注入时的能量传递.计算结果表明:在相同注入能量的情况下,注入Si... 展开

关键词 : SRIM程序 Si+ 自注入 W缺陷 D1线

3. 中子深度分析的能量展宽修正 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 窦海峰李润东冷军袁姝唐凤平《核技术》 2011年9期共4页

摘要 : 离子在样品内的能量岐离将改变中子深度分析(neutron depth profiling,NDP)的多道离子能谱分布.基于SRIM程序,分析了10B(n,α)7Li反应产生的四种离子穿过硅材料后的能最离散情况,获得了四种离子的能谱分布拟合函数,为中子深度分析技术提供了能量GAUSS展宽的数学模型.

关键词 : 能量岐离中子深度分析 SRIM程序拟合函数

4. Ar+轰击SrTiO3表面缺陷的模拟计算方法研究 OA 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 王放曾慧中张万里《电子元件与材料》 2018年11期共5页

摘要 : SrTiO3的电学性质严重依赖于氧空位浓度.采用Ar+轰击SrTiO3能使其表面产生氧空位.本文提出了一种基于蒙特卡罗模拟辅助控制离子注入时间的方法,利用SRIM程序模拟Ar+注入SrTiO3,分析了氧空位的分布情况,再通过迭代计算研究氧空位浓度随时间的变化趋势.... 展开

关键词 : 蒙特卡罗模拟 SRIM程序计算钛酸锶氧空位非晶层

5. NiFe2O4铁氧体薄膜溅射产额的蒙特卡罗模拟 OA

[期刊] 李金龙余忠孙科史富荣李雪兰中文《实验科学与技术》 2011年1期共4页

摘要 : 通过蒙特卡罗方法,运用SRIM程序,模拟了Ar+轰击NiFe2O4铁氧体靶材的过程,研究了不同入射能量及角度Ar+轰击NiFe2O4靶材引起的溅射产额.结果表明:离子垂直入射时NiFe2O4中各元素的溅射产额和出射原子能量都随入射离子能量的增大而增大;各元素产额的比率... 展开

关键词 : NiFe2O4铁氧体薄膜溅射产额 SRIM程序蒙特卡罗方法