中国科学技术信息研究所--国家工程技术数字图书馆

1. AlGaAs/GaAs多量子阱激光器 CSCD

[期刊] 徐俊英李立康张敬明曾安傅方正陈良惠曾一平孙殿照孔梅影《中国激光》 1990年S1期共4页

摘要 : 本文报道用国产分子束外延设备研制出波长为850nm AlGaAs/GaAs多量子阱激光器。室温阈值电流密度为980A/cm^2、条宽8μm的激光器最低室温阈值电流为28mA,线性输出功率大于15mW,单面量子微分效率约24％,具有良好的温度特性(温度从-35℃到+30℃范围内,T_o=361℃)。

关键词 : 分子束外延量子阱激光器 AlGaAs/GaAs

2. 1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长 OA 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 牛智川倪海桥方志丹龚政张石勇吴东海孙征赵欢彭红玲韩勤吴荣汉《半导体学报》 2006年3期共7页

摘要 : 报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有... 展开

关键词 : 量子点砷化铟激光器

3. SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制 OA 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 王晓亮王翠梅胡国新马志勇肖红领冉军学罗卫军唐健李建平李晋闽王占国《半导体学报》 2007年z1期共5页

摘要 : 用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不... 展开

关键词 : AlGaN/GaN 高电子迁移率管 MOCVD 功率器件碳化硅衬底

4. 生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响 OA 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 王保柱王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王翠梅冉军学王军喜刘宏新李晋闽《半导体学报》 2007年z1期共3页

摘要 : 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随... 展开

关键词 : RF-MBE 铟铝镓氮 XRD RBS SEM

5. AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能 OA 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 王新华王晓亮肖红领王翠梅冉军学罗卫军王保柱冯春杨翠柏马志勇胡国新曾一平李晋闽《半导体学报》 2007年z1期共3页

摘要 : 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试... 展开

关键词 : AlGaN/AlN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度

6. 离子束外延生长(Ga,Mn,As) 化合物 北大核心 CSCD

[期刊] 杨君玲陈诺夫刘志凯杨少延柴春林廖梅勇何宏家《稀有金属》 2001年4期共5页

摘要 : 利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外延层,另一部分锰离子成功注入到 GaAs 基底里,注入深度约为 160 nm.衬底温度为... 展开

关键词 : (Ga Mn As) 化合物 GaAs 单晶质量分析的低能离子束

7. 生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究 OA 北大核心 CSCD

[期刊] 陈晔李国华朱作明韩和相汪兆平周伟王占国《红外与毫米波学报》 2001年1期共4页

摘要 : 测量了生长在(311)A面GaAs衬底上的In0.55Al 0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱,变激发功率和压力实验证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰,将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁.高温下观察到的高能峰随压... 展开

关键词 : InAlAs/AlGaAs 量子点压力光致发光

8. 无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性 OA 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 孙国胜孙艳玲王雷赵万顺罗木昌张永兴曾一平李晋闽林兰英《半导体学报》 2003年6期共7页

摘要 : 在MBE/CVD高真空系统上,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50mm的单晶Si(100)衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅(3C-SiC)外延材料,利用反射高能电子衍射(RHEED)和扫描电镜(SEM)技术详细研究了Si衬底的碳化过程和碳化层的表面形貌,... 展开

关键词 : LPCVD 无坑洞n-3C-SiC/p-Si 异质结特性

9. Photoluminescence of Charged Low-Density InAs/GaAs Quantum Dots CSCD CSTPCD

[期刊] WANG Hai-Li XIONG Yong-Hua HUANG She-Song NI Hai-Qiao HE Zhen-nong DOU Xiu-Ming NIU Zhi-Chuan 《中国物理快报（英文版）》 2009年10期共3页

10. 可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底的制备 OA 北大核心 CSCD CSTPCD

[期刊] 孙国胜张永兴高欣王军喜王雷赵万顺王晓亮曾一平李晋闽《半导体学报》 2004年10期共6页

摘要 : 利用新研制出的垂直式低压CVD(LPCVD)SiC生长系统,获得了高质量的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底材料.系统研究了3C-SiC的n型和p型原位掺杂技术,获得了生长速率和表面形貌对反应气体中SiH4流量和C/Si原子比率的依赖关系.利用Hall测试技术、非接触式方块电阻... 展开

关键词 : 3C-SiC/Si(111)衬底 LPCVD GaN