主管单位：
中国科学院
主办单位：
中国科学院上海技术物理研究所；中国光学学会
国际刊号：
1001-9014
国内刊号：
31-1577/O4
出版周期：
双月刊
地 址：
上海市玉田路500号
邮政编码：
200083
电 话：
021-25051553
电子邮箱：
jimw@mail.sitp.ac.cn
| 序号 | 标题 | 作者 | 起始页 | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管 | 祁雨菲, 王文娟, 孙京华... | 1 | |
| 2 | 非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究 | 苏家平, 周孝好, 唐舟... | 7 | |
| 3 | InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究 | 何苗, 陈建新, 周易... | 15 | |
| 4 | 通过成结模拟器研究n+-n--p碲镉汞高温探测器 | 林加木, 周松敏, 王溪... | 23 | |
| 5 | 不同生长条件对CdTe/GaAs外延薄膜表面形貌和光学性质的影响 | 朱辰玮, 刘欣扬, 巫艳... | 29 | |
| 6 | 10µm 1280×1024 HgCdTe中波红外焦平面阵列探测性能提升 | 谭必松, 周永强, 余波... | 36 | |
| 7 | γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响 | 孙京华, 王文娟, 诸毅诚... | 44 | |
| 8 | 片上红外偏振探测研究进展 | 甄玉冉, 周靖, 邓杰... | 52 | |
| 9 | MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性 | 郭子路, 陆卫, 王文娟... | 63 | |
| 10 | 基于CMOS的高响应度太赫兹探测器线阵 | 白雪, 张子宇, 徐雷钧... | 70 |
