中国科学技术信息研究所--国家工程技术数字图书馆

1. TFT工艺中的反应性离子刻蚀 OA CSCD

[期刊] 柳江虹袁剑峰杨柏梁梁庆成《液晶与显示》 1999年1期共5页

摘要 : 对TFT器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究,给出了TFT器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果,并讨论了掺杂气体(如H2、Ar)对刻蚀速率的影响.

关键词 : 反应性离子刻蚀选择比 TFT器件

2. TFT—LCD牵引驱动器IC

[期刊] 李世兴《电子产品世界》 1998年12期共2页

关键词 : TFT－LCD 驱动器IC 显示器件

3. AM－LCD用TFT有源矩阵的性能研究 OA

[期刊] 张凤《真空电子技术》 1996年1期共10页

摘要 : ＴＦＴ有源矩阵赋予ＡＭ－ＬＣＤ以所有平板显示器（ＦＰＤ）的最佳性能，使其性能已能够等于或好于最为流行的ＣＲＴ显示器件。本文讨论了ＴＦＴ有源矩阵的性能，描述了在像素电极上充电或放电的电压精度要求，介绍了ＴＦＴ－ＬＣＤ的最新进展。

关键词 : 有源矩阵 AM-LCD TFT CRT 显示器件

4. TFT阵列金属电极的制备与性能 OA CSCD

[期刊] 王大海杨柏梁杨柏梁吴渊吴渊刘传珍《液晶与显示》 2000年4期共8页

摘要 : 利用磁控溅射的方法制备了Cr、 Ta、 Al、 Mo、 MoW等金属薄膜，采用XRD、 SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响，得到了制作TFT器件中优质金属电极的工艺参数。

关键词 : 磁控溅射 TFT器件溅射速率金属薄膜

5. 制作高性能TFT—LCD器件的新技术

[期刊] 季旭东《光电技术》 2002年3期共6页

摘要 : 市场对高性能TFT-LCD器件的需求促进了其制作技术的发展，本文对这些技术作了介绍，并特别讨论了提高分辩率、拓宽视角以及简化工艺的新技术。

关键词 : TFT－LCD器件分辩率视角工艺制作液晶显示

6. 产业用TFT-LCD市场动向及特点

[期刊] 《电子产品世界》 1998年9期共2页

摘要 : 随着技术的前进，设备的改善，作为显示器件的ＴＦＴＬＣＤ（薄膜晶体管液晶显示器）的图像质量已比彩色显像管毫不逊色，因而应用不断扩大，从小型便携ＰＣ、中型汽车定位导向仪到较大的便携ＰＣ、台式机／工作站监视器，向着大型化、高精细化发展。... 展开

关键词 : TFT-LCD 市场显示器件电子工业

[期刊] 伯倩《三联竞争力》 2008年3期共4页

摘要 : 替代危机真的可怕!从1996年至今，不过短短十余年，3C融合日渐清晰，而中国的彩电、手机和PC产业都如出一辙，昙花一现，高速成长后全面衰退。而今，在中国有一家横跨3C领域的上游关键元器件企业，在CRT时代生产彩管，在TFT时代又领先于液晶。在近10年... 展开

关键词 : 3C融合 PC产业生存之道元器件 CRT TFT 企业国有

8. 介电损耗在TFT性能提升中的应用

[期刊] 李砚秋林鸿涛颜京龙崔晓鹏陈维涛周冉一刘丹方亮《创新创业理论研究与实践》 2023年20期共6页

摘要 : 该文分析表征了TFT器件栅极绝缘层的介电性能,建立介质层介电损耗与TFT耐压强度、电学性能的关系.首先制备栅极、栅极绝缘层、Si构成的MIS电容,优选出最佳测试参数组合;然后测试电容介电损耗和击穿电压,分析介电损耗和耐压强度的关系;再以MIS电容制备... 展开

关键词 : 介电损耗击穿电压 TFT特性栅极绝缘层 TFT耐压强度 MIM器件

9. TFT LCD技术的发展

[期刊] 黄锡珉《电子产品世界》 1999年9期共2页

摘要 : 本文介绍了近期TFTLCD技术发展幼态，简述TFTLCD发展趋势。

关键词 : TFT LCD 液晶显示器件引线技术

10. 半导体C—V的测量

[期刊] 吉时利《电子世界》 2009年9期共2页

摘要 : 电容一电压（C—V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C—V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III—V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电... 展开

关键词 : 半导体器件测量 MOSFET MEMS器件 TFT显示器结型晶体管光电二极管 JFET