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国家工程技术图书馆
2022年11月29日
摘要 : 微細プロセスではレイアウト構造を変更することで様々な影響が及ぶ．本研究では65nmと28nmのFDSOIプロセスにおいてレイアウト構造の異なるFFを試作，重イオン照射測定を実施しソフトエラー耐性への影響を評価する．65nmではレイアウト構造によるソフ... 展开 微細プロセスではレイアウト構造を変更することで様々な影響が及ぶ．本研究では65nmと28nmのFDSOIプロセスにおいてレイアウト構造の異なるFFを試作，重イオン照射測定を実施しソフトエラー耐性への影響を評価する．65nmではレイアウト構造によるソフトエラー耐性への影響は見られなかったが，28nmではラッチを構成するトランジスタ間の距離が広いレイアウトで，高いLETを持つ重イオンを照射した場合のソフトエラー耐性が大きく低下することが分かった． 收起
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