摘要: 动态随机存储器（DynamicRandomAccessMemory，DRAM）是存储器产业的重要组成部分。灵敏放大器（SenseAmplifier，SA）作为DRAM的关键电路，在数据读取时发挥着至关重要的作用。在DRAM中，接入灵敏放大器的位线是成对存在的，灵敏放大器的功能是识别两... 展开 动态随机存储器（DynamicRandomAccessMemory，DRAM）是存储器产业的重要组成部分。灵敏放大器（SenseAmplifier，SA）作为DRAM的关键电路，在数据读取时发挥着至关重要的作用。在DRAM中，接入灵敏放大器的位线是成对存在的，灵敏放大器的功能是识别两端位线之间微弱的电压差，并将此电压差放大至外围电路可以识别的电压差。在生产过程中，由于晶体管阈值电压的不同，理论上相同的两个MOSFET可能会适配，这就导致了灵敏放大器在工作过程中产生失调噪声，从而数据可能被错误放大。为了减小其对于SA读取操作中的影响，本文提出了一种具有的低失调的灵敏放大器电路，本文主要内容如下： 本文首先介绍了传统灵敏放大器的结构、工作原理以及失调电压产生的原因，并仿真分析了现有DRAM灵敏放大器失调电压解决方案的优缺点，具体包括OCSA、OMCSA及BRV_SA电路。 在上述分析的基础上，本文提出了一种具有低失调的灵敏放大器电路。该电路在补偿阶段通过输入输出短接和电流镜相结合的方式，补偿位线电压差，达到降低失调电压的目的。在65nmCMOS工艺、电源电压为1.2V、TT工艺角、25℃条件下，对所提出的电路进行仿真,包括在不同位线负载电容下，对电路的失调电压、速度、正确率、功耗的仿真分析。以负载电容100fF为例，仿真结果表明，和OCSA、OMCSA、BRV_SA几种补偿电路相比较，本文提出的低失调灵敏放大器在失调电压方面分别降低了90%、80%和75%，读取速度方面，分别提高了21.2%、10%和13.1%，功耗方面，分别降低了25.2%、15.1%和8%。 收起