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国家工程技术图书馆
2022年11月29日
摘要: 半导体量子点是纳米尺度的三维结构,它限制了载流子的运动,从而形成了量子化的分立能级,被称为“人造原子”。自被发现以来,半导体量子点就表现出了丰富的物理内容,其在光电器件、量子信息光源等应用方向也有着巨大的潜力。如何实现高质量的相干单... 展开 半导体量子点是纳米尺度的三维结构,它限制了载流子的运动,从而形成了量子化的分立能级,被称为“人造原子”。自被发现以来,半导体量子点就表现出了丰富的物理内容,其在光电器件、量子信息光源等应用方向也有着巨大的潜力。如何实现高质量的相干单光子源是实现光量子密码通信、线性量子计算等一系列应用的关键。近些年来,利用半导体外延生长技术和微纳工艺加工技术,研究人员可以将量子点植入微腔结构中,从而改变其激子的自发辐射速率和辐射光的远场提取效率。通过控制微腔结构,可以实现量子点激子辐射的增强和高效定向发射,使其成为接近实用性能的单光子源。本论文开展了新型GaAs/AlGaAs核壳结构纳米线中的GaAs单量子点单光子发射特性、量子点的能带结构等相关物理性质的研究。 主要研究内容和取得的研究结果如下: (1)研究了GaAs/AlGaAs核壳纳米线中的闪锌矿结构GaAs量子点的单光子辐射性质:通过对量子点荧光光谱和其二阶关联函数g(2)(τ)(采用Hanbury-Brounan Twiss干涉仪,HBT)的测量,发现这种单量子点具有良好的单光子源特性,量子点的最大光子发射率为~0.2 M(80 MHz脉冲激发),单光子纯度较好(g(2)(0)=0.28),对应提取效率为0.14,比嵌入平板微腔结构中的量子点辐射强度增加约十倍。 (2)研究了GaAs/AlGaAs纳米线中闪锌矿和纤锌矿结构GaAs量子点的光学和能带结构性质:通过金刚石对顶砧压力光谱、时间分辨光谱和原子赝势计算研究方法,我们首次观测到了纤锌矿结构的GaAs量子点。得到闪锌矿(纤锌矿)量子点的基本特性为:连续激发下每秒单光子发射强度~1 M(~0.036 M),饱和激发功率下g(2)(0)~0.18(~0.14),激子发光寿命~1 ns(>4ns),压力系数范围为75-100 meV/GPa(28-53 meV/GPa)。闪锌矿量子点常压下带间跃迁是Γ谷的直接光学跃迁;纤锌矿量子点的导带带边态可能是闪锌矿L谷由布里渊区折叠至Γ点而形成的,对应“准直接”光学跃迁。 (3)研究了纤锌矿GaAs纳米线的能带结构特性:通过压力光谱研究,我们发现常压下纤锌矿GaAs纳米线的带边光学跃迁是Γ-Γ直接复合,即导带带边由Γ谷组成。当压力大于~2.5 GPa,光学跃迁发生直接-准直接能带转变,这时的导带带边具有L谷特性。 综上,结合压力光谱和单光子测量技术,本论文对GaAs/AlGaAs纳米线结构及嵌入纳米线结构中的GaAs量子点的光学性质做了系统研究。发现纳米线中的量子点的单光予发射率可达到1 MHz,首次发现了具有纤锌矿结构的GaAs量子点,并确定其光学跃迁为准直接能带跃迁。确认纤锌矿结构GaAs纳米线常压下为直接带隙光学跃迁。此外,我们还实现了量子点的光学定位和InAs/GaAs量子点微环腔的制备及加工工艺的探索,为之后的量子点与微腔结构的耦合研究提供了研究基础和技术支持。 收起
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