摘要: 噻吩类化合物因其在光电材料领域（有机场效应晶体管 OFETs、有机太阳能电池OSCs等）有着广泛的应用价值，从而受到的关注。本论文以二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩（bt-DTT）为结构单元，进行了OFETs材料的合成研究；利用二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩（... 展开 噻吩类化合物因其在光电材料领域（有机场效应晶体管 OFETs、有机太阳能电池OSCs等）有着广泛的应用价值，从而受到的关注。本论文以二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩（bt-DTT）为结构单元，进行了OFETs材料的合成研究；利用二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩（bt-DTT）的非对称性及其2、5位的活性差异，以其为构筑模块，分别进行了噻吩双螺烯和噻吩大环化合物的合成研究。具体研究工作分为如下三部分： 1、基于二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩（bt-DTT）OFET材料的合成研究 1）化合物T1、T2的制备研究 以二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩（bt-DTT）（4）为原料，通过2、5位三甲基硅基保护、选择性溴代、醛基化合成化合物5-醛基-2-三甲基硅-二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩(16)，然后通过Wittig反应、TFA脱三甲基硅基得到目标化合物1,4-二(2-(二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩-3-基)乙烯基)苯（T1）；中间体16通过McMurry反应以及TFA脱去三甲基硅基得到目标化合物2-二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩乙烯（T2）。化合物T1、T2的总产率分别为14%和16%。所有中间体通过了1H NMR，13C NMR，MS，HRMS，IR表征，由于目标化合物溶解性很差，进行了相应的MS、 HRMS表征。 2）化合物T3、T4的制备研究 以二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩（bt-DTT）（4）为原料，通过2、5位三甲基硅基保护、选择性溴代、溴迁移、CuCl2偶联合成中间体5,5'-二(三甲基硅基)-3,3'-联二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩(12)，通过硫代关环反应及 TFA脱三甲基硅基得到目标化合物“牛角型”并七噻吩（T3）；中间体(12)在强碱 LDA作用下通过醛基化及McMurry分子内关环得到目标化合物“牛角型”苯并七噻吩（T4）。化合物T3、T4的总产率分别为6.3%和4.8%。所有中间体通过了1H NMR，13C NMR，MS，HRMS，IR表征，由于目标化合物溶解性很差，进行了相应的MS、 HRMS表征。 2、新型噻吩双螺烯DHNC、DHCOT-1的合成研究 以5-三甲基硅基二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩（5）为原料，通过选择性溴代、溴迁移、CuCl2偶联得到中间体2,2'-二(三甲基硅基)-6,6'-联二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩(11)。然后通过CuCl2偶联得到目标化合物新型噻吩双螺烯DHCOT-1；中间体11通过羰基化反应得到大环双酮化合物2-DKT；大环双酮化合物2-DKT通过McMurry分子内关环得到目标化合物新型萘核双螺烯DHNC。化合物DHCOT、DHNC合成总产率分别为8.3%和10.4%。所有中间体及目标化合物通过了1H NMR，13C NMR，MS，HRMS表征。 3、大环化合物M1、M2的合成研究 以二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩（bt-DTT）（4）为原料，通过2、5位三甲基硅基保护、选择性取代、溴迁移、CuCl2偶联合成中间体5,5'-二(三甲基硅基)-3,3'-联二噻吩并[2,3-b:2',3'-d]噻吩(12)。中间体12通过羰基化反应“一锅法”得到新型大环双酮化合物5-DKT和“牛角型”单酮化合物KT。通过McMurry反应考察大环双酮化合物5-DKT分子内关环过程，研究发现没有获得所设计的萘核产物，而是得到了过度还原产物：二氢萘核化合物M1和十元大环化合物M2。同时发现随着反应时间的增加，二氢萘核化合物M1的产率逐渐降低，十元大环化合物M2的产率逐渐升高，表明十元大环化合物M2是经过二氢萘化合物M1过度还原生成的。所有中间体通过了1H NMR，13C NMR，MS，HRMS，IR表征，由于目标化合物溶解性很差，没有得到其相应的13C NMR，表征，进行了1H NMR，MS，HRMS，IR表征。 收起