摘要: ZnO是一种在光电功能领域很有潜力的第三代宽禁带半导体材料，ZnO基一维纳米结构材料和ZnO掺杂纳米结构近年成为人们研究的热点，相比于体材料以及薄膜二维材料，一维结构纳米材料能够提供更为优良的光学性能以及晶体结构。通过对ZnO进行Mg元素掺杂来... 展开 ZnO是一种在光电功能领域很有潜力的第三代宽禁带半导体材料，ZnO基一维纳米结构材料和ZnO掺杂纳米结构近年成为人们研究的热点，相比于体材料以及薄膜二维材料，一维结构纳米材料能够提供更为优良的光学性能以及晶体结构。通过对ZnO进行Mg元素掺杂来获得禁带可调的ZnO纳米材料，可以进一步制备响应波段可调的紫外光电器件，使得其在更广泛的领域内得到应用。 本文首先采用化学气相沉积法(CVD)，水热学法制备直立的ZnO纳米线阵列，通过对样品表征，综合分析讨论了CVD法中气-固(V-S)机制下ZnO纳米线的晶体生长动力学过程。同样利用CVD方法引入Mg源对ZnO进行Mg掺杂，获得Mg掺杂ZnO纳米线阵列。利用水热法和原子层沉积法(ALD)制备出ZnO/ZnMgO核壳结构纳米线阵列，并利用这种核壳结构纳米线阵列制备出ZnO/ZnMgO核壳结构光导型紫外探测器，在364-378nm处得到良好的窄波响应。最后，利用水浴法制备出大面积自支撑可自由迁移的Ag掺杂ZnO纳米线阵列并研究其发光机制。 收起