摘要: 纳米CeO2材料具有优异于体材料的抛光、催化、紫外吸收和离子导电等特性，因而广泛地应用于微电路抛光、空气净化以及固体氧化物燃料电池等众多领域。因此，实现CeO2纳米材料的可控制备成为合成领域具有重大意义的研究课题。CeO2纳米晶体的不同面的催... 展开 纳米CeO2材料具有优异于体材料的抛光、催化、紫外吸收和离子导电等特性，因而广泛地应用于微电路抛光、空气净化以及固体氧化物燃料电池等众多领域。因此，实现CeO2纳米材料的可控制备成为合成领域具有重大意义的研究课题。CeO2纳米晶体的不同面的催化活性差异很大，因此关于特定暴露面CeO2纳米晶体可控合成的研究开始引起了研究者极大的研究热情。水热法已经成为实现CeO2纳米材料可控制备的有效方法。然而在实际的水热法制备的过程中，试剂的选择存在盲目性。因此迫切地需要有可以预测控制形貌的实验试剂。 本文的主要目的就是建立矿化剂的筛选机制，从而达到对纳米材料的可控合成，以及对所制备不同暴露面的纳米氧化铈的结构进行表征，为其催化性能提供理论解释。目前，广泛地采用第一性原理对材料科学特别是半导体材料的原子结构及电子性能等方面进行理论研究。本文是将纳米材料的制备与第一性原理相结合：通过建立氧化铈特定面上的原子吸附模型，并基于第一性原理对氧化铈特定的暴露面表面吸附原子后的表面能进行理论计算，分别建立了制备不同暴露面氧化铈的矿化剂的筛选机制，再经过工艺参数的优化制备不同暴露面的纳米氧化铈，验证了吸附原子模型建立矿化剂筛选机制从而达到特定暴露面纳米颗粒可控合成的可行性，对所制备的样品利用XRD，SEM，TEM，STEM等手段进行表征，最后进行UV-VIS检测。主要结果如下： （1）利用水热法制备了无特定暴露面的纳米杆：一种直径为~30nm，长度为~100nm短粗纳米杆，一为直径为~10nm，长度为~400nm的细长纳米杆纳米杆是沿着<112>方向生长。氧化铈纳米杆具有很强的紫外线吸收性能，与体材料400nm相比发生大约25nm的蓝移现象。同时利用简便的方法制备了氧化铈纳米八面体和纳米杆的混合体系。只通过调节矿化剂的种类和浓度而不添加模板和表面活性剂来控制产物的形貌。纳米杆的分布各异：有的从八面体的表面生长出来，有的是伴随着纳米八面体产生并且共同生长。纳米杆与纳米八面体的非常有趣的结构有着广泛的应用前景，且提供了一种经济的途径：一步同时合成不止一种典型的纳米颗粒。 （2）采用第一性原理研究了不同的非金属元素吸附氧化铈（111）面对表面能的影响，表面吸附了F，B，C，Si，P，S等元素，其表面能降低，而吸附H，N，O，Cl，Br，I等元素，其表面能升高，可以选取含F，B，C，Si，P，S等元素的化合物作为矿化剂来稳定氧化铈的（111）表面，进而建立矿化剂筛选机制。利用硝酸铈作为铈源，选取含F和c元素的NaF和NH4Ac作为矿化剂，通过调节合成参数，含C元素的NH4Ac作为矿化剂成功制备的纳米氧化铈八面体，XRD显示制备的为面心立方结构的氧化铈，没有其他杂质，SEM显示了结晶性好，分散性较好，粒度均匀的纳米八面体，对其进行TEM表征，纳米氧化铈暴露的为{111}，且少数颗粒存在缺陷，STEM观察纳米氧化铈的表面存在大量缺陷。对于能跟Ce3+发生反应产生不溶性铈盐，可以在矿化剂很低的浓度下制备结晶较好的八面体。纳米氧化铈八面体对紫外线具有强烈吸收性能，相对于体材料发生约30nm的蓝移，但其紫外线屏蔽性能弱于纳米杆。 （3）采用第一性原理研究了不同的非金属元素以及金属元素吸附对氧化铈（001）面对表面能的影响，其表面吸附了Sr，La，Mg，Na，Ba，K，Y，Ca等元素，其表面能降低，而吸附Be元素，其表面能大幅度地升高，而表面吸附了F，B，C，Si，P，S，OH，Cl，Br等元素，其表面能降低，而吸附H，N，O，I等元素，其表面能是升高的，根据矿化剂选择原则，进而建立矿化剂筛选机制。利用硝酸铈作为铈源，选取KOH作为矿化剂，通过调节工艺参数成功制备了CeO2纳米方块，XRD显示制备的为面心立方结构的氧化铈，没有其他杂质，SEM显示了结晶性好，分散性较好，粒度均匀的纳米氧化铈，对其进行TEM表征，纳米氧化铈暴露的为{001}，纳米氧化铈方块结晶性很好，没有发现缺陷，利用STEM技术对试样进行观察，可以发现纳米氧化铈方块表面存在一定的重构现象。反应温度形貌有很一定的影响。温度低导致氧化铈方块的不均匀性，且试样粘结现象严重，温度升高，结晶性越好，方块趋于均匀。纳米氧化铈方块能强烈吸收紫外线，其紫外线的屏蔽性能大大优越于纳米氧化铈八面体和纳米杆。与体材料(400nm)相比，纳米氧化铈的方块发生了约22nm的蓝移。 收起