摘要: 进入超深亚微米阶段后，集成电路制造工艺中普遍采用了亚波长光刻技术。然而随着特征尺寸逐渐接近光刻分辨率极限，制造过程中会发生光学邻近效应现象，导致硅片上的成像与原始版图有着巨大的差异，从而严重影响了集成电路的电学性能和成品率。为此，... 展开 进入超深亚微米阶段后，集成电路制造工艺中普遍采用了亚波长光刻技术。然而随着特征尺寸逐渐接近光刻分辨率极限，制造过程中会发生光学邻近效应现象，导致硅片上的成像与原始版图有着巨大的差异，从而严重影响了集成电路的电学性能和成品率。为此，人们提出了分辨率增强技术。分辨率增强技术的广泛应用一定程度上解决了亚波长光刻中的许多可制造性问题，因此成为了人们研究的重点。 空间滤波技术主要是指离轴照明技术和光瞳滤波技术，它们都是通过改变入瞳体或出瞳体的物体的频谱的分布，达到降低低频分量，相对提高高频分量，最终提高光强对比度，从而提高光刻分辨率。 光刻模型是分辨率增强技术的基础，本文主要研究利用空间滤波技术提高光刻模型的精度，从而提高光刻分辨率。本文先介绍了集成电路的制造过程和光刻工艺的技术背景，提出了自主开发的光刻模拟工具Litholab，并以Litholab为研究平台，深入研究了光源模型的优化策略和光瞳函数的优化策略，提出了使用连续函数表征的光源模型和考虑了像差因素的光瞳模型。试验结果表明，新的光源模型和光瞳模型都能较好的提高光刻模型的精度。 收起