摘要: 铁酸铋．钛酸铅固溶体材料较多铁性材料铁酸铋能体现出更佳的绝缘性能和铁电性能，极有希望克服铁酸铋由于自身漏导严重而难以实际应用的缺点，在信息存储、卫星通讯、磁电传感器等领域得到广泛应用。本论文以铁酸铋．钛酸铅(0.6(Bi，La)(Ga<,0.05>Fe... 展开 铁酸铋．钛酸铅固溶体材料较多铁性材料铁酸铋能体现出更佳的绝缘性能和铁电性能，极有希望克服铁酸铋由于自身漏导严重而难以实际应用的缺点，在信息存储、卫星通讯、磁电传感器等领域得到广泛应用。本论文以铁酸铋．钛酸铅(0.6(Bi，La)(Ga<,0.05>Fe<,0.95>)O<,3>-0.4PbTiO<,3>(BFO-PT))为靶材，用脉冲激光沉积法(PLD)法在Pt/TiO<,2>/SiO<,2>/Si(100)衬底上制备BFO-PT薄膜，并讨论了制备薄膜的沉积和退火过程中氧气压强和衬底温度对薄膜的结构与电学性能的影响。此外，本文还初步探讨了金属氧化物作为异质层时，对BFO-PT薄膜性能的影响。 沉积和退火过程的氧气压强和衬底温度都能通过影响薄膜的生长形式进而影响薄膜的内部结构与表面形貌，最终影响薄膜的电学性能。实验结果表明，当沉积气氛控制在50～100mTorr氧气压强，退火气氛控制在200mTorr氧气压强，衬底温度控制在600～700℃的BFO-PT薄膜能得到较为理想的结构和电学的综合性能。沉积气氛和退火气氛分别为50和200mTorr氧气压强，衬底温度为700℃的BFO-PT薄膜能获得较大的极化强度，其饱和极化强度P<,s>和剩余极化强度P<,r>分别为64.14和42.84μC/cm<'2>。金属氧化物(ZnO和TiO<,x>)作为异质层引入到BFO-PT薄膜中都能在一定程度上抑制薄膜中的漏导行为，尤其是BFO-PT/ZnO薄膜的剩余极化强度2P<,r>达到32μC/cm<'2>较相同条件下制备的BFO-PT薄膜(6μC/cm<'2>)提高了好几倍。 收起