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国家工程技术图书馆
2022年11月29日
摘要 : 用热丝CVD的方法在3英寸的硅衬底上生长均匀的金刚石薄膜，应用了在热丝上方加石墨电极，在形核阶段相对于热丝施加一直流负偏压的预处理方法，使金刚石的成核密度达到1010－1011/cm2。在3英寸镜面抛光的硅衬底上制备了平整的金刚石薄膜,生长的薄膜用... 展开 用热丝CVD的方法在3英寸的硅衬底上生长均匀的金刚石薄膜，应用了在热丝上方加石墨电极，在形核阶段相对于热丝施加一直流负偏压的预处理方法，使金刚石的成核密度达到1010－1011/cm2。在3英寸镜面抛光的硅衬底上制备了平整的金刚石薄膜,生长的薄膜用SEM及喇曼光谱进行了测试。实验发现电极的位置是影响金刚石薄膜均匀性的重要因素。 收起
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