摘要 : Один из перспективных подходов к решению задачи производства недорогих матричных фотоприёмных устройств заключается в разр... 展开 Один из перспективных подходов к решению задачи производства недорогих матричных фотоприёмных устройств заключается в разработке диодных матриц на основе структур с барьерами Шоттки PtSi/поли-Si, производимых по стандартным К МОП-процессам. При создании таких структур возникает ряд задач, решению которых посвящена данная работа. На этапе формирования слоёв Si/Si_3N_4 методом инфракрасной Фурье-спектроскопии обнаружена и исследована диффузия атомов водорода из плёнки Si_3N_4 в плёнку кремния при комнатной температуре. При исследовании формирования слоёв PtSi/поли-Si было установлено, что при магнетронном напылении платины на поверхности поли-Si образуется интерфейсная плёнка, состоящая из силицидов Pt_3Si и Pt2Si, а при нагреве структуры Pt/(Pt_3Si+Pt_2Si)/поли-Si до ～300℃ в течение 30 мин происходит переход фазы Pt_3Si в фазу Pt_2Si; далее с повышением температуры начинает образовываться соединение PtSi, а при температуре 480℃ все силициды полностью переходят в фазу PtSi. 收起