摘要 : Проведено экспериментальное исследование влияния энергии и количества атомов в бомбардирующих ионах Bi_n~+ (n=1 - 4) на коэффициен... 展开 Проведено экспериментальное исследование влияния энергии и количества атомов в бомбардирующих ионах Bi_n~+ (n=1 - 4) на коэффициент распыления GaAs. Показано, что удельный коэффициент распыления Y_(sp) нсаддитивно увеличивается с ростом п и кинетической энергии Esp, приходящейся на один атом в бомбардирующем ионе, и эффективность передачи энергии от бомбардирующих ионов к атомам мишени также возрастает с ростом п. Проведено сравнение с полученными ранее результатами для Si-мишеней. 收起