摘要 : Рассмотрена задача о нуклеации и росте зародышей графена ? графеновых островков ? на поверхности расплава меди в условиях кат... 展开 Рассмотрена задача о нуклеации и росте зародышей графена ? графеновых островков ? на поверхности расплава меди в условиях каталитического CVD-процесса, т.е. при каталитическом разложении газофазного углеродного носителя. Показано, что именно на расплаве меди оптимально сочетаются условия сохранения почти идеальной гексагональной формы островков и в то же время ? необходимые условия самого CVD-процесса. Рассчитано среднее расстояние между островками и безразмерный параметр, определяющий изменение или сохранение формы островков. Определено максимальное значение скорости разложения углеродного носителя, при котором этот параметр одновременно реализует бездефектный рост островков и в то же время ? максимально возможную скорость роста графенового монослоя. 收起