摘要: 以碳化硅为代表的宽禁带半导体功率器件是目前电力电子领域发展最快的半导体器件之一.SiC材料与电力电子器件的应用被公认将成为电力电子领域的一次革命,受到世界各国政府和产业界的高度重视,已经成为增长潜力巨大的战略性产业.据统计,若全国使用全Si... 展开
| 作者 | ZHANG Feng 张峰 SUN Guosheng 孙国胜 | ||
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| 作者单位 | |||
| 文集名称 | 中国电子学会第二十三届青年学术年会论文集 | ||
| 出版年 | 2017 | ||
| 会议名称 | 中国电子学会第二十三届青年学术年会 | ||
| 组织单位 | 中国电子学会 | ||
| 页码 | 1-11 | 开始页/总页数 | 1 / 11 |
| 会议日期/会议地点 | 2017-11-24 / 成都 | 会议年 | 2017 |
| 中图分类号 | TN304.2:TN304.054.4 | ||
| 关键词 | 肖特基二极管 场效应晶体管 碳化硅 外延生长 可靠性 | ||
| 机标主题词 | 碳化硅;功率器件;材料 | ||
| 机标分类号 | O613.71;TN302;TB3 | ||
| 馆藏号 | DZ05355 | ||
