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国家工程技术图书馆
2022年11月29日
摘要: 采用电子背散射衍射技术(EBSD)测定了化学气相沉积纯钨(CVD-W)的晶粒取向和晶界分布特征,研究化学气相沉积方法制备纯钨的组织和晶界结构的特点.测试结果表明:CVD-W生长组织具有三个生长区,分别是等轴晶区、混合生长晶区和柱状晶区;柱状晶区的晶粒具有... 展开 采用电子背散射衍射技术(EBSD)测定了化学气相沉积纯钨(CVD-W)的晶粒取向和晶界分布特征,研究化学气相沉积方法制备纯钨的组织和晶界结构的特点.测试结果表明:CVD-W生长组织具有三个生长区,分别是等轴晶区、混合生长晶区和柱状晶区;柱状晶区的晶粒具有显著的〈001〉择优生长;低∑CSL晶界占据较大比例,其中以∑3、∑5为主要结构,∑3的出现频率最大.研究认为CVD-W的晶粒取向和晶界结构特点与沉积组织的生长特点密切相关. 收起
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