摘要: 石墨烯因其具有良好的电学性能、光学性能以及超高的电子迁移率从而引起了人们的广泛关注。然而本征石墨烯是零带隙结构，这就限制了石墨烯在光电子器件领域的应用，虽然通过掺杂或其他复杂的方法可以获得较小的带隙，但其迁移率等性能会极大降低。WS... 展开 石墨烯因其具有良好的电学性能、光学性能以及超高的电子迁移率从而引起了人们的广泛关注。然而本征石墨烯是零带隙结构，这就限制了石墨烯在光电子器件领域的应用，虽然通过掺杂或其他复杂的方法可以获得较小的带隙，但其迁移率等性能会极大降低。WSe2是一种类石墨烯材料，单层WSe2是具有~1.2eV直接带隙半导体材料，弥补了石墨烯零带隙的不足，在光电子器件方面有着巨大的潜在应用。 在本文中，我们利用气相输运(VT)和化学气相沉积(CVD)两种不同的方法找出最佳生长条件，从而生长出高质量、大面积的WSe2，并且使用光学显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜、俄歇光谱仪等对生长出来的WSe2进行表征。首先，为了制备出具有高密度边缘的WSe2薄膜，在利用气相输运法生长WSe2的过程中，我们将石墨烯量子点旋涂在清洗干净的SiO2(300nm)/Si衬底上作为前驱体，用以生长出多孔三角形WSe2薄片，在这些WSe2薄片中存在大量的三角形或者圆形小孔，小孔的尺度由几百纳米到几微米不等，小孔的存在大大提高了WSe2薄片的边缘密度，四层WSe2薄片上观察到的边缘密度最高，与不带小孔的四层WSe2薄片相比，其边缘密度提高了580%。其次，为了调控WSe2的发光性能，我们使用气相输运法和化学气相沉积法，制备了不同W/Se化学计量比的WSe2样品，单层WSe2的PL宽带可以从1.53eV-1.79eV大范围转移，密度泛函理论(DFT)计算显示WSe2的非化学计量比改变了带隙，导致PL宽带的大范围转移，大大优于其它文献报道的单层WSe2的PL宽带范围（1.6eV-1.7eV）。 收起