摘要: 随着全球能源危机的出现以及现代电力电子技术的快速发展，高功率变流装置的应用领域日益广泛，作为电力电子系统基本环节的整流器更是得到了大规模地使用。整流系统中的高功率开关器件IGBT通断瞬间所产生的高瞬变电压(dv/dt)和高瞬变电流(di/dt)会产... 展开 随着全球能源危机的出现以及现代电力电子技术的快速发展，高功率变流装置的应用领域日益广泛，作为电力电子系统基本环节的整流器更是得到了大规模地使用。整流系统中的高功率开关器件IGBT通断瞬间所产生的高瞬变电压(dv/dt)和高瞬变电流(di/dt)会产生很大的电磁干扰(EMI)。而这些EMI不但会降低整流器自身的工作效率，也会影响到同一电磁环境中其他用电设备的正常工作，甚至会对操作人员的人身安全造成一定的危害。 本文对三相整流器传导干扰的产生原因和传播路径进行了理论研究，并指出：差模干扰的产生是由于高频开关动作产生的di/dt通过寄生电感在电网侧引入了脉动电流；共模干扰的产生是由于dv/dt在整流桥桥臂中点对地寄生电容上产生了充放电电流。在详细介绍传导干扰测量仪器的同时设计出了传导干扰测试系统。基于精密阻抗分析仪的测量结果和Saber的仿真结果，验证了元器件寄生参数对系统传导干扰的影响。最后，测量了三相整流器的传导干扰和近场干扰并对测试结果进行了对比分析。 研究表明：可控整流器比不控整流器产生的传导干扰大，空间矢量控制又比滞环控制产生的干扰大；差模干扰对称分布在开关频率及其倍频附近，共模干扰集中在开关频率及其奇倍频附近；差模干扰与共模干扰均会随开关频率的增加而增加；低频段的差模干扰会随阻性负载的变化而变化，共模干扰则不受负载大小的影响。通过实验得出，整流器网侧干扰以差模干扰为主。 收起