摘要: SCB火工品发展迅速，但是目前还未见对其失效机理进行研究的文献资料报道。本论文分别以温度、温湿度和热冲击作为加速应力，在试验条件下激发SCB失效，分析SCB发生失效的物理化学过程，从而达到探索SCB失效机理的研究目的。 本文介绍和分析了高温... 展开 SCB火工品发展迅速，但是目前还未见对其失效机理进行研究的文献资料报道。本论文分别以温度、温湿度和热冲击作为加速应力，在试验条件下激发SCB失效，分析SCB发生失效的物理化学过程，从而达到探索SCB失效机理的研究目的。 本文介绍和分析了高温加速寿命、高温高湿加速寿命、热冲击等试验的试验原理、标准、条件等；解释了SCB的失效现象并指出了SCB的失效模式和失效机理；分析了有关半导体器件典型失效诱因对SCB失效的影响；对SCB的贮存寿命进行估算并检验其抵抗温度剧变能力。本研究的主要结论如下： (1)温湿度应力下，SCB样品有3种失效模式：(a)键合Al丝点蚀失效模式。其失效机理是温湿应力下Al丝表面缺陷部位发生电解腐蚀，生成氢氧化铝形成高阻。(b)键合Al丝剥蚀失效模式。其失效机理是酸性药剂作腐蚀介质加速晶间腐蚀，Al丝腐烂。(c)断脚失效模式。其失效机理是温湿应力下脚线可伐合金的表面缺陷部位发生电解，阳极溶解和氢致开裂。 (2)热冲击应力下，SCB样品有1种失效模式：Al丝剥蚀失效。其失效机理与温湿应力下Al丝剥蚀失效机理相同。 (3)温度单应力下，SCB样品并未发生失效。 (4)在温度、温湿度或热冲应力下，栅氧化层击穿、金属迁移、SiO2氧化层电荷、Au-Al化合物、Al金属化再结构、非平衡载流子复合等半导体器件的典型失效因素并不能导致SCB失效。 (5)SCB的贮存寿命：(a)温度单应力下，SCB的贮存寿命大于31年。(b)温湿度双应力下，Au丝样品、Al丝未涂药样品、Al丝非裸丝涂Pb(SCN)2样品和Al丝裸丝涂LTNR样品的贮存寿命大于15年；Al丝裸丝涂Pb(SCN)2样品因发生Al丝剥蚀失效，贮存寿命为4年。 (6)贮存中，SCB抗温度剧变的能力：Au丝样品、Al丝未涂药样品、Al丝非裸丝涂Pb(SCN)2样品和Al丝裸丝涂LTNR样品通过热冲击检验；Al丝裸丝涂Pb(SCN)2样品未通过热冲击检验。 收起