[学位论文]
  • 谢成城
  • 北京大学

摘要: GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作作了一些探索.

作者 谢成城   授予学位单位 北京大学  
导师 王舒民 学位 硕士
学科 凝聚态   国籍 CN
页码/总页数 1-51 / 51 出版年 2000
中图分类号 TN304.1
关键词 光学微盘   远场分布   面发射微盘   HVPE法   GaN材料   厚层生长  
机标主题词 材料;半导体材料;光学
机标分类号 TB3;TN304;O43
馆藏号 Y357710
相关作者
相关关键词