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国家工程技术图书馆
2022年11月29日
摘要: 随着GaN材料研究的逐步成熟和器件的应用,InN和高InN组分的InGaN材料自从2002年以来成为氮化物半导体研究中的另一个热点。高质量InN薄膜的制备发现其禁带宽度和早期报道的1.89eV偏离比较大,为0.7eV左右。这使得InN和高InN组分的InGaN材料在光纤通讯... 展开 随着GaN材料研究的逐步成熟和器件的应用,InN和高InN组分的InGaN材料自从2002年以来成为氮化物半导体研究中的另一个热点。高质量InN薄膜的制备发现其禁带宽度和早期报道的1.89eV偏离比较大,为0.7eV左右。这使得InN和高InN组分的InGaN材料在光纤通讯器件和高效率太阳能电池方面存在重要的应用价值。另外,InN在氮化物半导体中具有最高的电子漂移速率,InN基场效应晶体管的截止频率理论值可达THz。目前,MBE制备的InN薄膜的迁移率已达到2100cm<’2>/Vs,而MOCVD制备的InN薄膜的迁移率也达到1200cm<’2>/Vs。 针对以上研究热点,我们主要进行了两方面的工作,即(1):ZnAl<,2>O<,4>α-Al<,2>O<,3>衬底的制备与GaN薄膜的MOCVD生长:(2):InN薄膜的MOCVD生长、退火和氧化。得到的主要结论如下: 1、我们通过PLD淀积的ZnO薄膜和α-A1<,2>O<,3>衬底的反应来制备ZnAl<,2>O<,4>/a-Al<,2>O<,3>衬底。结果表明ZnO和Al<,2>O<,3>之间的固相反应主要由反应原子在ZnAl<,2>O<,4>薄膜中的扩散控制,Zn原子的扩散为其中一个扩散机制。其固相反应的表观激活能为504kj/mol。在1100℃,随生长时间增加,ZnAl<,2>O<,4>薄膜的表面形貌从均匀分布的“岛”状结构首先演变为“棒”状结构,最后演变为突起的“线”状结构。对应的ZnAl<,2>O<,4>薄膜从单一的[111]取向变为多晶,然后重新向[111]取向对齐,这种结构上的变化和其表面形貌存在一定的联系。 2、在“岛”状结构和具有“线”状结构的ZnAl<,2>O<,4>/α-Al<,2>O<,3>衬底上利用LP-MOCVD系统直接生长了GaN薄膜。在“岛”状分布的ZnAl<,2>O<,4>-A1<,2>O<,3>衬底上得到了单-【0001】取向的GaN薄膜,而在具有“线”状结构的ZnAl<,2>O<,4>/α-Al<,2>O<,3>衬底上得到的GaN为多晶。单一【0001】取向GaN薄膜的室温PL谱呈现强烈的带边发射,半高宽为28nm,X射线摇摆曲线半高宽为0.4°,达到当时国内的同期水平。 3、利用预淀积金属In技术在350℃MOCVD生长了InN薄膜。发现适当的预淀积In能够压制金属In在InN薄膜中的聚集。当预淀积In 15min时,得到了没有金属In聚集的单一【111】取向的立方结构InN薄膜。发现此温度下采用预淀积金属In技术能够促进InN在α-Al<,2>O<,3>衬底表面的成核和InN横向生长速率。 4、在350℃~500℃之间利用预淀积金属ln技术生长了InN薄膜。发现随生长温度提高到425℃,InN在α-Al<,2>O<,3>衬底表面的成核变的困难,尽管采用了预淀积In技术。由于In原子的表面分凝作用,在样品表面出现了近微米尺寸的In颗粒。当生长温度高于425℃时,InN更难成核,同时In的脱吸附增加,样品表面的ln颗粒逐渐消失。 5、对375℃生长的InN薄膜进行了NH<,3>气氛退火研究。375℃生长的InN具有六角纤锌矿结构,而350℃生长的InN为立方闪锌矿结构。退火温度增加到425℃时,InN分解反应变的很严重,在样品表面出现了高密度的金属In颗粒,同时样品的结构质量变差。当退火温度高于425℃时,NH<,3>分解率提高,抑制了InN的分解反应,同时由于ln原子的挥发,没有高密度的In颗粒出现,而且InN的结构质量由于退火大为提高。 6、对375℃生长的InN和具有金属In聚集的InN样品进行了干氧氧化。发现InN样品中没有明显的氧化发生,直到氧化温度高于400℃。对于具有金属In聚集的InN样品,其氧化在300℃就已经发生,此时样品中In<,2>O<,3>相的出现源于金属In的氧化,在450℃时ln和InN消失,只有In<,2>O<,3>相,而且其(222)晶面衍射峰很尖锐。结合吉布斯自由能计算,我们认为InN在氧化温度下分解很严重,导致了InN样品在300℃~400℃之间很难被氧化。氧化温度提高到400℃以上时,氧化作用增强,InN样品中In<,2>O<,3>相才开始出现。 随着在材料质量和GaN P型掺杂方面的突破,GaN基半导体材料的研究和应用获得了很大的进展。在上个世纪,其蓝绿光LED、LD便实现了商品化生产。目前,由GaN基LED所引发的白光照明在全世界范围内成为一个焦点产业。尽管低温缓冲层技术在上世纪80年代就被提出,并且极大改善了GaN的材料质量,然而关于GaN衬底材料的研究在上世纪末仍然是一个热点。因此,我们早期的工作对ZnAl<,2>O<,4>/α-A1<,2>O<,3>复合衬底的制备和GaN在此衬底上的MOCVD生长进行了研究。 收起
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