摘要 : Copper indium disulfide cells fabricated on a continuous copper tape fabricated at IST (D) are continuously improving, now reaching efficiencies above 9%, with V_(oc) exceeding 650 mV, and fill factors well above 65%. The internal... 展开
作者 | Johan Verschraegen Marc Burgelman Juergen Penndorf |
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作者单位 | |
期刊名称 | 《Thin Solid Films》 |
页码/总页数 | p.179-183 / 5 |
语种/中图分类号 | 英语 / TB3 |
关键词 | CuInS_2 CISCuT capacitance modelling |
馆藏号 | TB-183 |