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国家工程技术图书馆
2022年11月29日
摘要 : 主要技术与性能指标,极限真空度:<2.6×10^(−5)Pa,系统真空漏率:≤6.6×10^(−8)Pa.l/s,膜厚不均匀度:≤±5%,片间不均匀性:≤±5%,批间不均匀性:≤±5%,主要应用,半导体、LED科学研究,代表性应用成果,可满足铝、钛、铬、钒、镍、银、铟等金属,以及ITO等氧化物在... 展开 主要技术与性能指标,极限真空度:<2.6×10^(−5)Pa,系统真空漏率:≤6.6×10^(−8)Pa.l/s,膜厚不均匀度:≤±5%,片间不均匀性:≤±5%,批间不均匀性:≤±5%,主要应用,半导体、LED科学研究,代表性应用成果,可满足铝、钛、铬、钒、镍、银、铟等金属,以及ITO等氧化物在基片上均匀沉积薄膜的各类工艺要求。 收起
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