摘要 : 基于第一性原理密度泛函理论计算,我们探索了 V族元素(P,As和Sb)掺杂的单层二维铁电α-In2Se3的电子结构.由于本征的α-In2Se3中存在两个不等价的In原子层,V族元素掺杂在不同的In原子层会表现出不同的能带结构,对于带隙变化尤为明显.当掺杂元素位于α-In... 展开
| 作者 | 罗颖 王喆 朱文光 |
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| 作者单位 | |
| 英文名称 | Doping-Induced Unusual Band Gap Enlargement in Group V Elements Doped 2D Ferroelectricα-In2Se3 |
| 期刊名称 | 《低温物理学报》 |
| 期刊英文名称 | 《Chinese Journal of Low Temperature Physics》 |
| 页码/总页数 | 149-156 / 8 |
| 语种 | 汉语 |
| 关键词 | 二维材料 铁电性 掺杂 密度泛函理论计算 |
| DOI | 10.13380/j.ltpl.2021.03.002 |
| 基金项目 | This work was financially supported by the Na-tional Key Research and Development Program of China(2017YFA0204904 and 2019YFA0210004),the National Natural Science Foundation of China(11634011),the Strategic Priority Research Pro-gram of Chinese Academy of Sciences(Grant No.XDB30000000),Anhui Initiative in Quantum In-formation Technologies(Grant No.AHY170000),the Fundamental Research Funds for the Central Universi-ties(WK2340000082 and WK2060190084).Com-putational support was provided by National Su-percomputing Center in Tianjin. |
| 收录情况 | BDHX CSTPCD |
| 机标主题词 / 分类号 | 带隙;单层;密度泛函理论 / TN710;TU241.6;O413.1 |
