摘要 : 氧化锌(ZnO)是一种天然的宽禁带半导体材料,其理论上的禁带宽度为3.37 eV,近年来已经成为制备紫外探测器件的热门材料之一.然而,由于ZnO材料的本征缺陷,直接制备的紫外探测器件总是存在响应率低、暗电流大、响应速度慢等问题.为了获得更好的紫外探测性... 展开
| 作者 | 况丹 卞曙光 徐爽 刘斌 刘贤文 喻志农 |
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| 作者单位 | |
| 英文名称 | Research Progresses of Ultraviolet Photodetector Based on Zinc Oxide |
| 期刊名称 | 《半导体光电》 |
| 期刊英文名称 | 《Semiconductor Optoelectronics》 |
| 页码/总页数 | 100-109 / 10 |
| 语种/中图分类号 | 汉语 / TN23 |
| 关键词 | 氧化锌 紫外探测器 元素掺杂 表面修饰 异质结构造 |
| DOI | 10.16818/j.issn1001-5868.2021101901 |
| 基金项目 | 国家自然科学基金项目(61874009). |
| 收录情况 | BDHX CSTPCD |
