摘要 : 基于单晶硅靶材制备氮化硅薄膜的沉积参数正交试验,通过选择和研究溅射功率、工作压强、气体流量比和基底温度这四个因素,得到这四个因素对薄膜沉积速率和薄膜表面粗糙度的影响规律;利用从正交试验中得到的一系列观测值分别建立关于薄膜沉积速率和薄膜... 展开
| 作者 | 马辰卉 武文革 伏宁娜 王昕宇 成云平 刘丽娟 |
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| 作者单位 | |
| 英文名称 | Study on Optimization of Deposition Parameters of Silicon Nitride Thin Films Prepared by Monocrystalline Silicon Target Based on Orthogonal Test |
| 期刊名称 | 《工具技术》 |
| 期刊英文名称 | 《Tool Engineering》 |
| 页码/总页数 | 31-35 / 5 |
| 语种/中图分类号 | 汉语 / TG174.4 TH145 TP212 |
| 关键词 | 氮化硅薄膜 沉积参数 正交试验 参数优化 |
| 基金项目 | 山西省国际科技合作项目(2015081018) |
| 收录情况 | CSTPCD |
| 机标主题词 / 分类号 | 沉积;正交试验;氮化硅薄膜 / P51;O21;TN304 |
