摘要 : GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点.重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关研究成果进行了汇... 展开
| 作者 | 罗子江 周勋 王继红 郭祥 丁召 |
|---|---|
| 作者单位 | |
| 英文名称 | GaAs(001) Surface Reconstruction |
| 期刊名称 | 《材料导报》 |
| 期刊英文名称 | 《Materials Review》 |
| 页码/总页数 | 15-19,29 / 6 |
| 语种/中图分类号 | 汉语 / TN3 O47 |
| 关键词 | RHEED STM GaAs(001) 表面重构 |
| 基金项目 | 国家自然科学基金(60866001);教育部博士点基金(20105201110003);贵州师范大学2012年博士基金;贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州大学青年教师科研基金(2012年001号);2013年度贵州财经大学引进人才科研项目 |
| 收录情况 | BDHX CSCD CSTPCD |
| 机标主题词 / 分类号 | 表面重构;试验数据;扫描 / TG17;V247.5;TN87 |
