摘要 : 利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜.利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及表面重构进行扫描... 展开
| 作者 | 王继红 罗子江 周勋 张毕禅 郭祥 丁召 |
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| 作者单位 | |
| 英文名称 | MBE Growth and STM Analysis of Surface Morphology and Reconstructions of InAs Films |
| 期刊名称 | 《材料导报》 |
| 期刊英文名称 | 《Materials Review》 |
| 页码/总页数 | 90-92 / 3 |
| 语种/中图分类号 | 汉语 / TN3 O47 |
| 关键词 | InAs薄膜 分子束外延 反射高能电子衍射 扫描隧道显微镜 表面重构 |
| 基金项目 | 国家自然科学基金(60866001);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(黔省专合字(2009)114号);2010年度贵州财经学院博士基金;贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州大学青年教师科研基金([2012]001号) |
| 收录情况 | BDHX CSCD CSTPCD |
| 机标主题词 / 分类号 | 分子束外延;表面重构;反射式高能电子衍射 / TN305;TG17;O722.7 |
