[期刊]
  • 《电子工艺技术》 2006年4期

摘要 : 介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物.重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20:1.00:10.0,清洗的最佳时间为3 min~5 min和... 展开

作者 刘玉岭   常美茹  
作者单位
英文名称 Ultrasonic Cleaning Technology of Grinding Silicon Wafer
期刊名称 《电子工艺技术 》
期刊英文名称 《Electronics Process Technology》
页码/总页数 215-217 / 3
语种/中图分类号 汉语 / TN305.97  
关键词 硅片   清洗   污染物   铁沾污   金刚砂及杂质   超声波清洗  
机标主题词 / 分类号 研磨盘;硅;超声清洗 / TG73;O614;TB55
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