尊敬的各位读者：
根据当前疫情防控要求，我馆部分原文传递服务可能会有延期，无法在24小时内提供，给您带来的不便敬请谅解！
国家工程技术图书馆
2022年11月29日
摘要 : 目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革.由于其特征尺寸进入100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素.用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低K)材料取代二氧化硅作线... 展开 目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革.由于其特征尺寸进入100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素.用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低K)材料取代二氧化硅作线间介质成为重要的、应用价值巨大的研究课题.着重叙述了具有低介电常数的氟化非晶碳薄膜的研究进展. 收起
系统维护，暂停服务。
根据《著作权法》“合理使用”原则，您当前的文献传递请求已超限。
如您有科学或教学任务亟需，需我馆提供文献传递服务，可由单位单位签署《图书馆馆际互借协议》说明情况，我馆将根据馆际互借的原则，为您提供更优质的服务。
《图书馆馆际互借协议》扫描件请发送至service@istic.ac.cn邮箱，《图书馆馆际互借协议》模板详见附件。
根据《著作权法》规定， NETL仅提供少量文献资源原文复制件，用户在使用过程中须遵循“合理使用”原则。
您当日的文献传递请求已超限。
