摘要 : Показана возможность создания гетероструктур квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 μm методом молекулярно-п... 展开 Показана возможность создания гетероструктур квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 μm методом молекулярно-пучковой эпитаксии с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Активная область лазера была сформирована на основе гетеропары твердых растворов In_(0.67)Ga_(0.33)As/In_(0.36)Al_(0.64)As. Слои фосфида индия выполняли функцию обкладок волновода. Результаты исследования карт поверхностных дефектов гетероструктур квантовокаскадных лазеров, рентгеноструктурного анализа позволяют сделать вывод о высоком структурном качестве гетероструктур и низкой оценочной величине среднеквадратичной поверхностной шероховатости, не превышающей 0.7 nm. Лазеры с четырьмя сколотыми гранями демонстрируют генерацию при комнатной температуре с относительно низкой плотностью порогового тока порядка 1 kA/cm~2. 收起